【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在制造半导体装置之际优选使用的化学机械研磨用水
技术介绍
近年来，伴随着半导体装置的高密度化，形成于半导体装置内的配 线的微细化不断推进。作为可以实现该配线的进一步微细化的技术，已 知有被称作镶嵌法的技术。该方法在向形成于绝缘层中的槽等中嵌入了 配线材料后，通过使用化学机械研磨，将堆积在槽以外的多余的配线材 料除去，从而形成所需的配线。这里，在作为配线材料使用铜或铜合金 的情况下，为了避免铜原子向绝缘层中的迁移，通常在铜或铜合金与绝 缘体的界面上形成以钽、氮化钽、氮化钛等为材料的高强度的高介电常 数绝缘层(屏蔽层)。在将铜或铜合金作为配线材料使用的半导体装置的制造中，在釆用 镶嵌法的情况下，虽然其化学机械研磨的方法有各种方法，然而进行的 是由主要进行铜或铜合金除去的第一研磨工序、和主要除去屏蔽层的第 二研磨工序构成的两阶段的化学机械研磨。伴随着形成于半导体装置内的配线的微细化，第一研磨工序例如被要求以800nm/分钟研磨铜，基本上不切削屏蔽层，将铜凹陷(dishing) 控制为20nm以下。在作为绝缘层使用低介电常数材料(low-k材料) 的情况下...
【技术保护点】
一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有 （Ａ）重均分子量为５００，０００～２，０００，０００、且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子； （Ｂ）重均分子量为１，０００～１０，０００、且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高 分子或其盐； （Ｃ）氧化剂；以及 （Ｄ）磨料， 且ｐＨ为７～１２。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：浪江祐司，金野智久，元成正之，仕田裕贵，竹村彰浩，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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