抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法技术

抛光目标晶片１１通过抛光头１２保持，并与抛光头１２一起旋转。通过使用粘结剂或双面胶带等粘结的方法将抛光体１４固定至抛光元件１３。如图２（ｂ）所示，抛光体１４通过层叠软元件１５、硬弹性元件１６和抛光垫１７构成。硬弹性元件１６的构造使其在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的ＴＴＶ。因此，可以同时满足“晶片整体去除一致性”和“局部图案平面度”的要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于抛光内部含有所形成半导体集成电路的晶片的CMP抛光设备，一种用于这种CMP抛光设备的抛光体，和一种使用这种CMP抛光设备的半导体器件制造方法。
技术介绍
由于半导体集成电路已经变得越来越精细化且集成度越来越高，半导体制造工艺中涉及的单个工序已经变得越来越多和越来越复杂。因此，半导体器件的表面并不总是平面。半导体器件表面上存在阶差(step differences)，导致线路的台阶断路(step breakage)和电阻局部增加等，从而导致线路中断和电容下降。此外，在绝缘膜中，这种阶差也导致耐压性能的恶化而发生漏电。同时，由于半导体集成电路已经变得越来越精细化且集成度越来越高，用于光刻法的半导体曝光装置的光源的波长变得越来越短，用于这种半导体曝光装置的数值孔径或所谓的透射镜的NA变得越来越大。因此，用于这种半导体曝光装置的透射镜的焦点深度实际上已经变得越来越浅。为了处理焦点深度的浅度的这种增加，就要求半导体表面具有比目前所能获得的更大的平整度。具体说来，如图9所示的平整化技术已经在半导体制造工艺中变得必不可少。图9表示用于半导体制造工艺中的平整化技术的示意图，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ＣＭＰ抛光设备的抛光体，用于抛光内部形成半导体集成电路的晶片，其中抛光垫、硬弹性元件和软元件以这种顺序层叠，上述硬弹性元件的构造使此元件在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的ＴＴＶ。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-19 219431/011.一种用于CMP抛光设备的抛光体，用于抛光内部形成半导体集成电路的晶片，其中抛光垫、硬弹性元件和软元件以这种顺序层叠，上述硬弹性元件的构造使此元件在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的TTV。2.如权利要求1的抛光体，其中上述硬弹性元件由不溶于抛光剂的金属板构成。3.如权利要求2的抛光体，其中上述金属板为不锈钢板，此板的厚度h的范围为0.1mm＜h＜0.94mm。4.一种用于抛光内部形成半导体集成电路的晶片的CMP抛光设备的抛光体，其中抛光垫、硬弹性元件和软元件以这种顺序层叠，这些部件的构造使抛光垫、硬弹性元件和软元件的组合变形量小于在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的上述最大图案的凹凸部分高度，并大于上述晶片中所允许的TTV的5倍。5.如权利要求4的抛光体，其中上述硬弹性元件由不溶于抛光剂的金属板构成。6.如权利要求5的抛光体，其中上述抛光垫由聚氨酯泡沫材料构成，上述金属板为不锈钢板，上述抛光垫的厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：星野进，宇田丰，菅谷功，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]