【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在机械强度上优异的太阳能电池和制造这种太阳能电池的方法。
技术介绍
一种根据OECO(Obliquely Evaporated Contact)工艺制造太阳能电池的方法在Renewable Energy，Vol.14，p.83(1998)中披露。该OECO工艺是由Institut fur Solarrenergioforschung GmbH Hameln/Emmerthal(ISFH)，Germany的R.Hezel等人提出的制造太阳能电池的方法。所描绘的OECO太阳能电池的光接收表面的结构在图2中示意性地显示(在下文中通过OECO工艺制造的太阳能电池可以间或被称为OECO太阳能电池)。OECO太阳能电池被这样构型，在硅单晶衬底的主要表面上形成多条平行沟槽，这些平行沟槽在后面将被用作光接收表面3，以及在从各个沟槽的宽度方向看去的单侧的内侧面形成用于提取输出的电极6。这种结构将太阳能电池的阴影损耗成功地减小到约占全部光接收面积的5％那样小。因为具有由网版印制方法形成的电极的典型的太阳能电池通常要经受约12％那样大的阴影损耗，因此可以理解的是，OE...
【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池被构型成具有形成在有近似｛１００｝的表面晶向的半导体单晶衬底的第一主要表面上的互相近似平行的众多沟槽，每个沟槽都有一个用于提取输出的设置在其宽度方向的一侧的内侧面上的电极，并在第一主要表面上沟槽形成在和〈１１０〉方向不一致的方向上。
【技术特征摘要】
JP 2001-1-31 24240/01;JP 2001-2-27 52285/01;JP 2001.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池被构型成具有形成在有近似{100}的表面晶向的半导体单晶衬底的第一主要表面上的互相近似平行的众多沟槽，每个沟槽都有一个用于提取输出的设置在其宽度方向的一侧的内侧面上的电极，并在第一主要表面上沟槽形成在和<110>方向不一致的方向上。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，其中每个沟槽的形成方向和最靠近该形成方向的<110>方向在锐角一侧交叉成4度到45度的角度。3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，其中每个沟槽形成在和第一主要表面上的<100>方向平行的方向上。4.如权利要求1到3的任何一项权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，其中每个沟槽在垂直于其纵向的一个剖面图中的外形都有矩形，V形和半圆形中的任何一种形状。5.如权利要求1到4的任何一项权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，其中每个沟槽在垂直于其纵向的一个剖面图中的外形都有两个互相邻接的边缘部分，并且该边缘部分的邻接部分被做成圆角。6.如权利要求1到5的任何一项权利要求所述的太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池被构型成众多近似互相平行的沟槽也形成在该半导体单晶衬底的第二主要表面上和在第一主要表面上的<110>方向不一致的和第一主要表面上的沟槽的形成方向交叉的方向上，这样用于提取输出的电极被设置在第二主要表面上的每个沟槽宽度方向的一侧的内侧面上。7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，其中在第二主要表面上的沟槽的形成方向近似垂直地和在第一主要表面上的沟槽的形成方向交叉。8.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池在具有近似{100}的表面晶向的半导体单晶衬底的至少任何一个主要表面侧具有众多填充的电极线，该电极线有填充在其内的用于构成提取输出的电极的导电体，该填充的电极线形成在和主要表面上的<110>方向不一致的方向上。9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，其中每个填充的...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部武纪，大塚宽之，高桥正俊，生岛聪之，阿部孝夫，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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