【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,更具体地说,涉及包含进行硅层的结晶化工序的。
技术介绍
近年来,作为液晶显示装置的象素驱动用晶体管,采用作为有源层用多晶硅的薄膜晶体管(以下称多晶硅TFT)。在这样的液晶显示装置中为实现低成本化、高性能化及轻量小型化,要求多晶硅TFT的高性能化。为了多晶硅TFT的高性能化,有必要使基板上的多晶硅膜尽可能靠近单晶。以往,作为使上述多晶硅膜尽可能靠近单晶的方法之一,已知使用连续振荡型激光的方法。例如“AM-LCD’02 DIGEST OF TECHNICAL PAPER,2002年6月10-12,pp.227~330中所揭示的。该非专利文献中,通过硅氧化膜(SiO2膜)形成于基板上的非晶硅层,通过直接照射连续振荡型激光的YVO4激光的高次谐波(532nm),进行硅层的结晶化。然而在以往由于硅氧化膜(SiO2膜)与溶融硅的接触角小,故硅氧化膜与形成于其上的溶融硅的润湿性差。因此在结晶化之际产生溶融硅凝集成块的那种不适当情况。而且在通过激光扫描使硅层的溶融/结晶界面移动的结晶成长方法中,阴着加热区域的移动,溶融区域也移动,所以结块倾向变得显著。非专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括使与溶融硅的接触角为45°以下的第1膜的上面及下面的至少一方相接触地形成硅层的工序,以及通过用电磁波对所述硅层直接或间接地加热、溶融之后,进行所述硅层的结晶化工序。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述第1膜与溶融硅的接触角比硅氧化膜的来得小。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述第1膜包含与溶融硅的接触角为45°以下的SiNx膜及SiCN膜的至少一种。4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述第1膜包含SiC膜。5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述进行硅层结晶化的工序,包括通过所述第1膜对于所述硅层形成吸收膜的工序,以及通过使作为所述电磁波的连续振荡型激光照射所述吸收膜,使所述吸收膜发热、并利用该热进行所述硅层的结晶化的工序。6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述连续振荡型激光包含具有0.75μm以上2.0μm以下波长的红外线激光。7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述连续振荡型激光包含连续振荡型YIG激光。8.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述吸收膜由含Mo材料组成。9.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,形成吸收膜的工序包含预构图工序,以便能通用作为显示装置的象素部的遮光膜。10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,以所述吸收膜作为显示装置的象素部的遮光膜通用的预构图工序包含对所述吸收膜构图矩阵状的空洞的工序。11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述进行硅层结晶化的工序,包括在与所述第1膜的相反侧对于所述硅层形成吸收膜的工序,以及通过使作为所述电磁波的连续振荡型激光照射所述吸收膜,使所述吸收膜发热、并利用该热进行所述硅层的结晶化的工序。12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述连续振荡型激光包含具有0.75μm以上2.0μm以下波长的红外线激光。13.如权利要求12所述...
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