信越半导体株式会社专利技术

信越半导体株式会社共有500项专利

  • 本发明是一种双面研磨方法,其在载体上保持晶圆,且利用粘贴有研磨布的上平板和下平板来夹持所述载体,并同时研磨所述晶圆的双面,其中,所述载体具有:保持孔,其用于保持所述晶圆;环状的树脂插入物,其沿着所述保持孔的内周而配置,且具有接触所述所保...
  • 半导体基板的评价方法、评价用半导体基板、半导体装置
    本发明是在EP基板1上,成长与EP基板1不同的导电型EP层2。在EP层2上形成分离氧化膜9。通过离子注入,形成与EP层2相同的导电型井5,并且在分离氧化膜9的正下方利用自对准形成通道阻绝层10。在井5中,使与井5不同的导电型掺杂物扩散而...
  • 晶片的双面研磨方法
    本发明是一种晶片的双面研磨方法,该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中,并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间,并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面,且以批次方式反复进行该晶片的研磨,上述晶片的双面研磨方法...
  • 本发明是一种贴合SOI晶片的制造方法,该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于,对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理,去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后,进行使上述SOI层表面的硅原子产生...
  • 本发明是一种研磨头,其具备第一密封空间部,该第一密封空间部由环形刚性环、粘贴于上述刚性环的弹性膜、以及相对于上述刚性环能够在上下方向移动地连结的中板形成,且能够充入不可压缩性流体,上述研磨头进一步具备调整上述中板的上下方向的位置的中板位...
  • 本发明提供一种硅外延晶片的制造方法,该硅外延晶片的制造方法是在通过掺杂砷而使电阻率为1.0~1.7mΩcm,并进一步掺杂碳、或氮、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。由此,提供一种在掺杂有砷的超低电阻单晶硅晶片上进行外延生长时...
  • 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法,该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1~60秒之后,以1~100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理,而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附...
  • 本发明是一种制造SOI晶片的方法,该方法具有对于剥离后的贴合SOI晶片,进行第一快速热退火处理之后进行第一牺牲氧化处理,其后,进行第二快速热退火处理之后进行第二牺牲氧化处理的工序,在含有氢气的气氛下以1100℃以上的温度进行上述第一和第...
  • 本发明是一种膜厚分布测定方法,该方法执行如下工序:算出量变曲线P1,该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性;算出量变曲线P21,该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜...
  • SOI晶片的制造方法
    本发明是一种SOI晶片的制造方法,该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序,其中,上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理,上述SOI晶片的制造方法其特征在...
  • 浆液及浆液的制造方法
    本发明是一种浆液的制造方法,其特征在于,将利用辊磨机或球磨机粉碎的磨粒的一部分或全部,利用喷射磨机进行再次粉碎,由此使上述磨粒的平均圆度为0.900以上,并将该平均圆度为0.900以上的磨粒和冷却剂混合而制造上述浆液。而且,本发明是一种...
  • 本发明是一种单晶的制造方法,该方法是通过CZ法的单晶的制造方法,该单晶的制造方法对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析,并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。由此,提供一种在通过CZ法...
  • 本发明是一种双面研磨方法,其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片,并使载具自转和公转,一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨,上述双面研磨方法其特征在于,具有:第一研磨工序,其以高研磨速率进行研磨;以及,第二研...
  • 本发明是一种硅晶片的研磨方法,该研磨方法一边将存储于槽(12)内的研磨剂向粘贴于平台(2、3)上的砂布(4)供给一边使硅晶片(W)与上述砂布滑动接触而进行研磨,并将上述所供给的研磨剂回收至上述槽内而使其循环,上述硅晶片的研磨方法其特征在...
  • 本发明是一种用于在使工件(W)的表面与粘贴于平台(3)上的砂布(2)滑动接触而进行研磨时保持上述工件的研磨头(1),该研磨头的特征是,至少具有:用于保持上述工件的背面的、由陶瓷构成且具有挠性的工件保持盘(12);形成于该工件保持盘的与保...
  • 本发明是一种研磨头,至少具备:环形刚性环;以均匀的张力粘贴于该刚性环上的橡胶膜;与上述刚性环结合,并与上述橡胶膜和上述刚性环一起形成空间部的背板;以及与上述刚性环同心地设置于上述橡胶膜的下表面部的周边部,并保持工件的边缘部的环形模板,在...
  • 本发明是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法,该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中,以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述...
  • 本发明是一种贴合晶片的制造方法,该贴合晶片的制造方法具有:使用了分批式离子注入器的离子注入工序;将键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序;以及通过在离子注入层剥离键合晶片而制作在衬底晶片上具有薄膜的贴合...
  • 本发明是一种研磨头的高度方向位置的调节方法,该方法具有:在使未保持有工件的研磨头定位到与砂布不接触的高度方向的位置之后使研磨头和定盘中至少一方旋转的工序;通过高度调节机构边使研磨头靠近砂布直至接触边通过转矩测定机构测定已旋转的研磨头与定...
  • 提供一种能够抑制对操作环境和地球环境的冲击,同时具有磨料高分散性并能够防止沉淀物硬饼化的水基切削液。将磨料颗粒G分散在将硅酸胶体粒子P稳定分散在含有乙二醇等亲水性多元醇类化合物、丙二醇等亲油性多元醇类化合物和水的分散剂M中形成的水基组合...