半导体晶片的清洗方法技术

本发明专利技术是一种具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序的半导体晶片的清洗方法，该方法的特征是在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。由此，在半导体晶片的清洗中，提供一种能够同时降低半导体晶片表面中的金属杂质水平和粒子水平的半导体晶片的清洗方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
过去，作为一种使用将臭氧水、稀氢氟酸、纯水组合而进行清洗处理的方法。作为该场合的通常的清洗流程，以臭氧水清洗一稀氢氟酸清洗一臭氧水(纯水)清洗一干燥的顺序进行清洗。在该方法中，在最初的臭氧水清洗中进行附着在半导体晶片表面的有机物的去除，在下一个稀氢氟酸清洗中将形成于半导体晶片表面的氧化膜与混入在该氧化膜中的金属杂质一起去除，其后，在半导体晶片表面上需要保护氧化膜的情况下利用臭氧水(或纯水)进行表面氧化处理。而且，出于提高清洗力的目的还实施使用臭氧水和氢氟酸反复进行半导体晶片表面的氧化膜的形成和蚀刻的方法(专利文献I)。例如在通过叶片式自转清洗的半导体晶片的清洗中也如上所述那样组合臭氧水清洗、HF (氢氟酸)清洗、纯水清洗而进行,在通过臭氧水清洗而在半导体晶片表面形成氧化膜之后进行的HF清洗中，氧化膜本身也与混入在上述氧化膜中的金属杂质一起被去除。由此，在半导体晶片表面露出未形成有氧化膜的面(以下称之为裸面)，因而成为粒子容易附着的状态，使得粒子水平变差。因此，在半导体晶片的清洗中同时降低金属杂质水平和粒子水平成为了课题。现有技术文献专利文献专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该半导体晶片的清洗方法，其特征在于，在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.17 JP 2011-1348091.一种半导体晶片的清洗方法，具有至少一次以HF清洗、臭氧水清洗、HF清洗的顺序进行的清洗工序，该半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在该半导体晶片的清洗方法中最后进行的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的氧化膜全部的方式进行清洗。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半导体晶片的清洗方法中的最初的HF清洗中，去除形成于上述半导体晶片表面的氧化膜全部。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于， 在上述半导体晶片的清洗方法中的第二次以后的HF清洗中，以在上述半导体晶片表面上保留一部份厚度而不会去除通过上述臭氧水清洗而在上述半导体晶片表面形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部达夫，椛泽均，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：
国别省市：