研磨垫及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种研磨垫及其制造方法，研磨垫改善在使用现有的硬质(干式)研磨垫的情况下产生的刮伤问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅能应对一次研磨而且也能应对抛光研磨。本发明专利技术的半导体元件研磨用的研磨垫含有研磨层，研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26％～34％的范围内，且聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内。HSC＝100×(r-1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r-1)×Mda)…(1)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨垫。本专利技术特别涉及一种半导体元件的化学机械研磨 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)用研磨垫。
技术介绍
对于娃(silicon)、硬盘(hard disk)、液晶显示器用母玻璃(mother glass)、半导 体元件等的材料的表面，要求平坦性，因此进行使用研磨垫的游离磨粒方式的研磨。游离磨 粒方式为以下方法:一面在研磨垫与非研磨物之间供给含有磨粒的浆料(研磨液)，一面对 被研磨物的加工面进行研磨加工。对于半导体元件用的研磨垫来说，对其研磨垫表面需求用来保持磨粒的开孔、维 持半导体元件表面的平坦性的硬性、以及防止半导体元件表面的刮伤(scratch)的弹性。 作为可以应对这些要求的研磨垫，利用具有由氨基甲酸酯树脂发泡体所制造的研磨层的研磨垫。氨基甲酸酯树脂发泡体通常是通过含有含异氰酸基的化合物的预聚物与硬化剂 的反应进行硬化而成形(干式法)。然后，将该发泡体切片(slice)成片状，由此形成研磨 垫。像这样由干式法所成形的具有硬质的研磨层的研磨垫(以下有时简称为硬质(干式) 研磨垫)在氨基甲酸酯树脂的硬化成形时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件研磨用的研磨垫，具备研磨层，所述研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且所述半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于：所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由下述式(1)所求出的硬段的含有率(HSC)在26％～34％的范围内，且所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3～0.60g/cm3的范围内，HSC＝100×(r?1)×(Mdi+Mda)÷(Mg+r×Mdi+(r?1)×Mda)…(1)式(1)中，Mdi表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的聚异氰酸酯化合物的每2官能异氰酸基的平均分子量；Mg表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的多元醇化合物的每2官能羟基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.04.15 JP 2011-0912841.一种半导体元件研磨用的研磨垫,具备研磨层，所述研磨层具有含有大致球状的气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，并且所述半导体元件研磨用的研磨垫的特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由下述式(I)所求出的硬段的含有率(HSC) 在26%~34%的范围内，且所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm3~ 0.60g/cm3的范围内，HSC = 100X (r-1) X (Mdi+Mda) + (Mg+rXMdi+(r-l) XMda)…(I)式(I)中，Mdi表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的聚异氰酸酯化合物的每2官能异氰酸基的平均分子量;Mg表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的多元醇化合物的每2官能羟基的平均分子量;Mda表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的多胺化合物的每2官能氨基的平均分子量表示构成所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂的聚异氰酸酯化合物的异氰酸基相对于多元醇化合物的羟基的当量比)。2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的由Y = HSC+65XD所求出的Y值在50~65的范围内，(式中，D表示密度(g/cm3)，HSC为由所述式⑴所求出的值)。3.根据权利要求1或2所述的研磨垫，其特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的平均气泡径为120 ii m~185 u m。4.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨垫，其特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的A硬度为20度~55度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的研磨垫，其特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的D硬度为5度~35度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的研磨垫，其特征在于:所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40°C、初始负荷为10g、变形范围为0.01%~4%、测定频率为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：糸山光纪，宫泽文雄，
申请(专利权)人：富士纺控股株式会社，
类型：
国别省市：