半导体装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术，提供导电性良好的半导体装置。本发明专利技术的半导体装置（10）具备：基材（2）；半导体元件（3）；和介于基材（2）与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。该半导体装置（10），在粘接层（1）中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层（1）中的金属颗粒的体积含有率设为a，并将粘接层（1）中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时，粘接层（1）中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，填料中的金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及使用树脂膏制作的半导体装置。本申请基于2011年5月31日在日本申请的特愿2011-121444号主张优先权，在此援用其内容。
技术介绍
在半导体装置中，半导体元件通过粘接层固定在引线框或基板等基材上。这样的粘接层，除了要求具有粘接性以外，还要求具有导电性和热传导性，已知能够利用含有银颗粒的树脂膏形成这样的粘接层。例如，在专利文献1、2中记载有利用含有银颗粒的树脂膏形成上述的粘接层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-118616号公报专利文献2：日本特开平5-89721号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，这样的树脂膏，为了得到期望的导电性和热传导性，需要大量含有银颗粒。银颗粒与树脂成分相比，比重大，因此，在使用中和放置中容易产生沉降。因此，大量含有银颗粒的树脂膏，涂敷操作性差，有不能稳定地得到具有期望的导电性和热传导性的粘接层的情况。在专利文献1中，使在热固性树脂中分散有银颗粒的树脂膏含有平均粒径0.1～1.0μm的球状二氧化硅，由此能够抑制银颗粒的沉降。但是，球状二氧化硅是绝缘性的，因此，当使粘接层含有球状二氧化硅时，有导电性恶化的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：基材；半导体元件；和介于所述基材与所述半导体元件之间，将两者粘接的粘接层，在所述粘接层中分散有金属颗粒和绝缘颗粒，所述金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状，在将所述粘接层中的所述金属颗粒的体积含有率设为a，并将所述粘接层中的所述绝缘颗粒的体积含有率设为b时，所述粘接层中的填料的体积含有率（a＋b）为0.20以上0.50以下，所述填料中的所述金属颗粒的体积含有率a/（a＋b）为0.03以上0.70以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.31 JP 2011-1214441.一种半导体装置，其特征在于，具备：基材；半导体元件；和介于所述基材与所述半导体元件之间，将两者粘接的粘接层，在所述粘接层中分散有作为填料的金属颗粒和绝缘颗粒，所述金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状，在将所述粘接层中的所述金属颗粒的体积含有率设为a，并将所述粘接层中的所述绝缘颗粒的体积含有率设为b时，所述粘接层中的填料的体积含有率(a+b)为0.20以上0.50以下，所述填料中的所述金属颗粒的体积含有率a/(a+b)为0.05以上0.65以下，所述绝缘颗粒的通过激光衍射散射式粒度分布测定法得到的个数基准粒度分布中的中位径...

【专利技术属性】
技术研发人员：金森直哉，原田隆博，青木千晶，村山龙一，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：
国别省市：