【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术是一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法具有：使用了分批式离子注入器的离子注入工序；将键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在离子注入层剥离键合晶片而制作在衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法其特征是，分多次进行对于离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。由此，提供一种能够以大量生产水平制造提高了衬底晶片上的薄膜尤其SOI层的膜厚均匀性的贴合晶片的贴合晶片的制造方法。【专利说明】贴合晶片的制造方法及贴合SOI晶片
本专利技术涉及利用了离子注入剥离法的贴合晶片的制造方法，尤其涉及将注入了氢离子等的硅单晶片与成为支撑基片的衬底晶片贴合之后进行剥离而制造贴合晶片的方法。
技术介绍
最近，作为贴合晶片的制造方法，将注入了离子的键合晶片贴合之后进行剥离而制造贴合晶片的方法(离子注入剥离法:还称之为智能剥离法(注册商标)的技术)重新开始引人瞩目。该离子注入剥离法是如下技术(参照专利文献I)...
【技术保护点】
一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法使用具备旋转体和设置于该旋转体且配置基片的多个晶片保持件并对配置于该晶片保持件且公转的多个基片注入离子的分批式离子注入器，且具有：从键合晶片的表面注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层的离子注入工序；将上述键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在上述离子注入层剥离键合晶片而制作在上述衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法，其特征在于，分多次进行对于上述离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使配置于上述晶片保持件的键合晶片仅自转规定...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿贺浩司，横川功，能登宜彦，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：
国别省市：
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