标记晶片的方法技术

本发明专利技术涉及用于标记晶片，尤其是用于太阳能电池生产的晶片的方法。该方法包括以下步骤：在硅晶锭或柱体的周边表面上制造位置线（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ），该晶锭或柱体沿轴向延伸且具有沿该轴向的纵轴，其中位置线沿几乎整个晶锭或柱体以轴向延伸且相对于纵轴倾斜。通过此位置线，可以分别确定从晶锭或柱体切下的晶片在该晶锭或柱体中的位置。另外，在晶锭或柱体的周边表面上制造线的独特识别图案（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ），线的独特识别图案在几乎整个晶锭或柱体上沿轴向延伸且提供允许识别硅晶锭或柱体的独特编码。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于标记晶片，尤其是用于太阳能电池制造的晶片的方法。本专利技术还涉及制造硅晶片且尤其是用于太阳能电池制造的硅晶片的方法，以及涉及硅晶片、晶锭或柱体。 诸如太阳能电池的半导体器件的制造过程对于制造过程的工艺参数、环境条件和 晶片在从其切下该晶片的晶锭内的位置等非常敏感。 为了允许质量控制以最优化制造过程且建立允许具有最终产品的低报废率的半 导体设备的成本效率生产的制造程序，需要为每个制造的半导体器件分配制造参数。在对 于半导体器件的工艺参数的整理期间，需要标记这些半导体器件以允许通过其识别标记为 诸如晶片的一个特定半导体器件分配工艺参数。 US 6， 112， 738提出了一种方法，其中使用激光标记技术在硅晶片的切片表面上对 硅晶片进行标记。在EP 0 616 364 Al中揭示了类似的方法。这些方法允许通过将硅晶锭 或柱体切成多个薄晶片并在如此制造的切片表面上标记晶片来对非常薄的晶片进行标记。 然而，必须谨慎进行这种标记方法以避免对晶片的损坏。另外，如果还需要允许对从其切下 晶片的晶锭进行识别，那么需要在切片之后每个单一晶片的精确处理程序。另外，因为每个 晶片必须本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种标记晶片的方法，尤其是标记用于太阳能电池生产的晶片的方法，包括以下步骤－在硅晶锭或柱体的周边表面上制造位置线，所述晶锭或柱体沿轴向延伸且具有沿所述轴向的纵轴，所述位置线沿几乎整个晶锭或柱体以所述轴向延伸且相对于所述纵轴倾斜并允许分别确定从所述晶锭或柱体切下的晶片在所述晶锭或柱体内的位置，－在所述硅晶锭或柱体的所述周边表面上制造线的独特识别图案，所述线的独特识别图案在几乎整个晶锭或柱体上沿轴向延伸且提供允许识别所述硅晶锭或柱体的独特编码。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈里希特，马塞尔克伦津，延斯默克，
申请(专利权)人：楷能洁有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]