晶圆级测试结构制造技术

一种晶圆级测试结构，包括：第一加热部件，所述第一加热部件与晶圆中器件的顶层金属位于同一层，且采用与所述顶层金属相同的材料；第二加热部件，所述第二加热部件与晶圆中器件的栅极位于同一层，且采用与所述栅极相同材料；以及，第一加热部件和第二加热部件之间的测试电路，所述测试电路具有与晶圆中器件相应的多层金属结构。所述晶圆级测试结构提供更准确的可靠性测试结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及应用于半导体产品测试的晶圆级测试结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展，器件的尺寸和复杂度也越来越小。这就需要对于所制造 的半导体器件进行严格的测试，以保证出厂质量。 对应于不同的测试目的，如今已发展出了多种测试手段，例如，较常采用的用于检 测可靠性的封装级测试。由于所述封装级测试需要将晶圆划片后，对于相应的功能进行测 试，因而测试成本较高，且测试的速度也较慢。为了改善封装级测试的缺陷，一般采用晶圆 级测试。在晶圆级测试中，通常会采用多个测试结构(test key)。例如，所述测试结构可 以是随同晶圆中的器件一起制造的测试电路。由于所述测试电路与晶圆中的器件是在同样 的环境下制造获得的，因而通过检测所述测试电路的可靠性以及性能，也能够相应获得晶 圆中器件的可靠性以及性能。所述晶圆中的测试结构一般位于晶片(die)之间的闲置区域 内。 在例如可靠性测试过程中，通常需要使得半导体器件在一定应力条件下处于较高 的温度环境，以加速半导体器件的老化，来检测所述半导体器件是否符合要求。 对于封装级测试，其可以承受较高的温度，但是在将晶圆划片进行封装时，易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级测试结构，其特征在于，包括：第一加热部件，所述第一加热部件与晶圆中器件的顶层金属位于同一层，且采用与所述顶层金属相同的材料；第二加热部件，所述第二加热部件与晶圆中器件的栅极位于同一层，且采用与所述栅极相同材料；以及，第一加热部件和第二加热部件之间的测试电路，所述测试电路具有与晶圆中器件相应的多层金属结构。

【技术特征摘要】
一种晶圆级测试结构，其特征在于，包括第一加热部件，所述第一加热部件与晶圆中器件的顶层金属位于同一层，且采用与所述顶层金属相同的材料；第二加热部件，所述第二加热部件与晶圆中器件的栅极位于同一层，且采用与所述栅极相同材料；以及，第一加热部件和第二加热部件之间的测试电路，所述测试电路具有与晶圆中器件相应的多层金属结构。2. 如权利要求l所述的晶圆级测试结构，其特征在于，所述测试电路包括与晶圆中器 件相应的各金属层以及各金属层之间的通孔。3. 如权利要求1所述的晶圆级测试结构，其特征在于，所述第一加热部件为铜线。4. 如权利要求1所述的晶圆级测试结构，其特征在于，所述第二加热部件为多晶硅方 块结构。5. 如权利要求1所述的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑屏，廖金昌，黄威森，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]