The present invention provides a method for analyzing the reliability of the testing of integrated circuits with an inner dielectric structure, using a metal wire test structure is linear strip structure, and the metal wire can be wire line bar structure, the gasket is connected with the widening. The structure can completely avoid the test that the test can not be carried out normally because of the increase of the voltage and the burning of the corner of the metal wire. As a result of the test structure of the present invention, the possibility of the metal wire being burned first is greatly reduced in the test. It is beneficial to the smooth progress of the test and ensures the accuracy of the test.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体制造业中的可靠性(Reliability)分析过程， 具体涉及升压测试方法，特别是一种针对对内层电介质升压测试而改 进的电路结构。
技术介绍
在集成电路器件结构中，内层电介质(ILD， Inter Layer Dielectric) 是指金属间的绝缘层， 一般由Si02等非导电性材料组成，其作用是使 不同的电路结构之间相互隔离。内层电介质的性质对于半导体器件的 性能是至关重要的，通常要求其具有良好的抗击穿性能。升压法(Vramp methodology)可用于测试内层电介质的性能，这种 方法主要的手段是对内层电介质两端施加以恒定步骤升高的电压，当 电压升高到一定程度，内层电介质被击穿，然后根据此过程中记录的 相应数据，对受测试的内层电介质性能进行评估。这种检测结果通常 可以反映出材料中的缺陷数量。因此，升压法测试主要可以用于侦测 集成电路中电介质层中的缺陷，制程异常情况(如金属、光阻残余物 等物质残留在金属线之间等等)，以及铜扩散制程中用于监测铜扩散 的状况。基于时间的介电质击穿电压(TDDB: Time Dependent Dielect...
【技术保护点】
一种用于对集成电路内层电介质进行可靠性分析的测试用结构，该测试结构包括： 金属线结构（２０１）和（２０１’）， 电介质层（２０２），该电介质层（２０２）位于所述金属线结构（２０１）和（２０１’）之间，使其相互隔离； 垫片（２０３）和（２０３’），其中，金属线结构（２０１）的一端和垫片（２０３）相连接，金属线结构（２０１’）的一端和垫片（２０３’）相连接，其特征在于， 所述金属线结构（２０１）和（２０１’）为直线状的条形结构。
【技术特征摘要】
1.一种用于对集成电路内层电介质进行可靠性分析的测试用结构，该测试结构包括金属线结构(201)和(201’)，电介质层(202)，该电介质层(202)位于所述金属线结构(201)和(201’)之间，使其相互隔离；垫片(203)和(203’)，其中，金属线结构(201)的一端和垫片(203)相连接，金属线结构(201’)的一端和垫片(203’)相连接，其特征在于，所述金属线结构(201)和(201’)为直线状的条形结构。2、 根据权利要求l所述的测试结构，其特征在于，所述金属线结 构(201)和(202，)各自包括一条以上金属线。3、 根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述金属线结 构(201)包括的一条...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮玮玮，陆黎明，龚斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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