【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用至少一个辅助凹槽制造集成电路装置的方法。该辅助凹槽或由其形成的形貌(topology)被用作对准标记。对准标记可用于将掩模与集成电路装置对准。这称为对准。对准标记的形式取决于辐射所使用的辐射设备的制造商，例如曝光设备的制造商。对准标记包含例如彼此平行排列的等长或不等长的多个条。为了同时在x方向以及与x方向成直角的y方向上执行对准，对准标记例如包含有角度的条。备选地，可以为每个对准方向单独制造标记。对准标记还可用于监测被显影的抗蚀剂在集成电路装置上的位置。这称为覆盖标记(overlay mark)。例如，覆盖标记具有矩形或框的形式。当检查被曝光的抗蚀剂(例如光敏抗蚀剂)的位置时，利用例如所谓的框嵌套(box-in-box)的方法，该方法涉及确定矩形覆盖标记相对于更深层内的框架结构的偏移或者框架类型覆盖标记相对于更深层内的矩形结构的偏移。如果该偏移在一个方向上超过预定容差值，则已经被显影的抗蚀剂不用于蚀刻操作。该显影的抗蚀剂被除去，并且在涂覆抗蚀剂之后重复曝光和显影。在集成电路装置制造期间结合平整化，产生平面区域，使得包含对准标记的形貌消失。此...
【技术保护点】
一种使用辅助凹槽（２４）制作集成电路装置（１０）的方法，在该方法中执行以下步骤：在基板内制作至少一个有用凹槽（２０）和至少一个辅助凹槽（２４）；将填充层涂敷到具有所述有用凹槽（２０）和所述辅助凹槽（２４）的所述基板上，填充材 料（５２、５６）被引入到所述有用凹槽（２０）内以及所述辅助凹槽（２４）内；平整化所述填充层，填充材料（５２）保留在所述有用凹槽（２０）内且填充材料（５６）保留在所述辅助凹槽（２４）内；以及在平整化之后选择性地除去所述辅助凹槽 （２４）内的填充材料（５６）的至少一部分，未从所述有用凹槽（２０）内...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：K戈勒，O黑茨施，M尼希特维茨，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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