一种金属-绝缘体-金属射频测试结构制造技术

一种金属－绝缘体－金属射频测试结构，包括底层金属层、绝缘体层和顶层金属层，在金属－绝缘体－金属射频测试结构的顶层金属上的第一区域内设置多个测试触点，所述测试触点尽可能多地分布在顶层金属上的第一区域内。本实用新型专利技术通过在金属－绝缘体－金属射频测试结构顶层金属上增设多个测试触点，使其在测试时形成电阻并联的形式，从而大大降低了金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容的电阻值，并提高了品质因素值。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属－绝缘体－金属射频测试结构，包括底层金属层、绝缘体层和顶层金属层，其特征在于：在金属－绝缘体－金属射频测试结构的顶层金属上的第一区域内设置多个测试触点，所述测试触点尽可能多地分布在顶层金属上的第一区域内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏鼎杰，柯天麒，郑敏祺，耿静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]