【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种集成电路版图结构,尤其涉及一种便于FIB修改时定位的集成电路版图结构。
技术介绍
目前,集成电路芯片在社会生活的各个领域得到了广泛的应用。与分立元件电路相比,集成电路芯片电路的修改相对困难,如果产品性能未达到设计要求,或者需要修改产品功能定义,就要重新制版,重新流片。而制作掩模板、重新流片的费用昂贵,增加了产品研发成本,多次流片也增加了产品研发周期。FIB(Focused Ion Beam聚焦离子束)技术可以在不破坏芯片整体功能的前提下,修改芯片局部的金属连线,对金属做切断、连接或跳线处理,达到与通过修改掩模板重新流片相同的性能和效果。利用该技术对芯片进行修改可以降低开发成本,缩短研发周期,还可以对设计修改进行事先验证。FIB修改也存在失败的可能。失败的重要原因之一是不能准确定位和描述修改对象。已有技术的可通过FIB进行修改电阻阻值的电阻结构图如图1所示,电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4分别被金属连线A、金属连线B、金属连线C、金属连线D短路,M、N两点间电阻值等于R0电阻阻值。电路修改时,通过FIB切断金属连线A、金属连线B、金属连线C、金 ...
【技术保护点】
便于FIB修改时定位的集成电路版图结构,其特征在于:在需要FIB修改的位置处设置不影响电路功能和性能的、便于FIB定位的标志。
【技术特征摘要】
1.便于FIB修改时定位的集成电路版图结构,其特征在于在需要FIB修改的位置处设置不影响电路功能和性能的、便于FIB定位的标志。2.根据权利要求1所述的便于FIB修改时定位的集成电路版图结构,其特征在于在需要FIB修改时切断金属连线的位置处设置标志。3.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘颖,
申请(专利权)人:上海华虹集成电路有限责任公司,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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