【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种版图设计规则检查的方法及系统。
技术介绍
目前的DRC检查是根据设计规则配置文件(designruledocument)来进行规则文件(rulefile)的书写来实现的。图1a-1e是设计规则(designrule)定义的示例,图中图案填充阴影部分为第一层图形(Layer1),未填充阴影部分为第二层图形(Layer2),其中,D1为第一层图形自身的宽度(Width)、L1为第一层图形间的间隔(Space)、L2为第一层图形间的间距(Pitch),L3为第一层图形和第二层图形的包围间距,L4为第一层图形和第二层图形的扩展距离(enclosure),L5为第一层图形和第二层图形重叠部分的间距(overlap),根据这些定义转变成DRC可以识别的代码信息,然后对版图进行检查,设计规则配置文件可以说是一个针对特定制程节点的通用文档,且该文档中对于版图的各个层进行尺寸的定义以反应制程的能力。由于版图极其复杂,因此需要逐步完善设计规则配置文件以使其尽可能的涵盖版图的各方面。尽管如此,设计规则配置文件仍然无法定义和涵盖版图的所有情况。例如,一些版图图形的制程窗口(window)比较小,当制程有一定波动时会导致弱点(weakpoint)产生。而由于这些版图图形在晶圆(wafer)中心位置和边缘位置也会有差异,从而导致wafer边缘性能较差。且不同的产品、不同的客户、以 ...
【技术保护点】
一种版图设计规则检查的方法,其特征在于,包括如下步骤:获取半导体制程中产品由于版图的问题而产生的弱点信息;根据所述弱点信息于所述产品对应的版图上找出问题图形;获取每个所述问题图形的属性信息并将该属性信息存储至一数据库;在后续进行一待检查版图的DRC检查时,获取所述待检查版图上图形数据信息,并根据所述数据库中存储的属性信息于所述待检查版图上图形数据信息中获取所述待检查版图上潜在的弱点图形数据,进而输出检查结果。
【技术特征摘要】
1.一种版图设计规则检查的方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取半导体制程中产品由于版图的问题而产生的弱点信息;
根据所述弱点信息于所述产品对应的版图上找出问题图形;
获取每个所述问题图形的属性信息并将该属性信息存储至一数据库;
在后续进行一待检查版图的DRC检查时,获取所述待检查版图上图形
数据信息,并根据所述数据库中存储的属性信息于所述待检查版图上图形数
据信息中获取所述待检查版图上潜在的弱点图形数据,进而输出检查结果。
2.如权利要求1所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,所述
弱点信息包括弱点的位置和形状。
3.如权利要求1所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,所述
属性信息包括所述问题图形的自身尺寸信息、所述问题图形与所述问题图形
邻近的图形之间的距离、所述问题图形邻近的图形之间的距离以及所述问题
图形邻近的图形的自身尺寸信息。
4.如权利要求3所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,所述
问题图形与所述问题图形邻近的图形之间的距离为所述问题图形与所述问题
图形邻近的图形之间的最小距离,所述问题图形邻近的图形之间的距离为所
述问题图形邻近的图形之间的最小距离。
5.如权利要求3所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,所述
问题图形的自身尺寸信息包括所述问题图形的长度和宽度,所述问题图形邻
近的图形的自身尺寸信息包括所述问题图形邻近的图形的宽度。
6.如权利要求1所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,该方
\t法还包括:获取每个所述问题图形的属性信息并将该属性信息转化成DRC
可以识别的代码信息后,将所述代码信息存储至一数据库;
在后续进行一待检查版图的DRC检查时,获取所述待检查版图上图形
数据信息,并根据所述数据库中存储的代码信息于所述待检查版图上图形数
据信息中获取所述待检查版图上潜在的弱点图形数据,进而输出检查结果。
7.如权利要求1所述的版图设计规则检查的方法,其特征在于,所述
检查结果包括违反设计规则的结果和/或潜在的弱点结果。
8.一种版图设计规则检查的系统,其特征在于,包括:采集模块、查
找模块、测量模块、检查模块、输出模块以及一数据库;
所述采集模块获取半导体制程中产品由于版图的问题而产生的弱点信
息并将所述弱点信息发送至所述查找模块;
所述查找模块根据所述弱点信息于所述产品对应的版图...
【专利技术属性】
技术研发人员:张虎,刘喆秋,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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