【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别涉及一种版图设计规则的优化方法及系统。
技术介绍
随着科技的不断发展，对集成电路的性能以及集成度提出了更高的要求，也成为集成电路的研发、设置和制造的快速推动力。按照摩尔定律，目前传统的半导体器件已经进入10nm及以下的先进技术节点，对集成电路的设计以及制造工艺都提出了挑战。在先进技术节点的版图设计与工艺开发中，提出了设计与工艺联合优化(DTCO)的思想，希望设计人员和技术人员之间能够很好的合作开发，为先进技术节点的发展提供更为合理的引导。在先进技术节点的研发中，设计图形从几何上和多变性上都受到了很大的局限，传统的设计规则已经不再适用，标准单元中不宜制造的版图类型也大大的增多，布线层的热点区域也大比例增长等，存在诸多的问题需要解决，若通过传统的通过测试版图进行仿真优化的方式，已很难将优化进行下去，也无法得到满意的结果，使得设计过程异常困难且设计周期过长。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种版图设计规则的优化方法，基于DTCO的思想，进行设计规则的优化，提供优化的设计规则库，从而简化设计过程并缩短设计周期。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种标准单元库的优化方法，包括：S01，提供包含初始的设计规则的初始版图；S02，将初始版图进行关键图形的拆分，以获得关键图形版图，以关键图形版图中至少部分版图作为仿真版图；<
【技术保护点】
一种版图设计规则的优化方法，其特征在于，包括：S01，提供包含初始的设计规则的初始版图；S02，将初始版图进行关键图形的拆分，以获得关键图形版图，以关键图形版图中至少部分版图作为仿真版图；S03，对仿真版图进行光源掩模协同优化仿真，以获得包括优化的光源、与光源配套的掩模板和光刻光学模型的仿真结果；S04，对光源掩模协同优化的仿真结果进行可制造性仿真，以检测工艺窗口是否满足预定要求；S05，若可制造性仿真的结果不满足预定要求，则根据可制造性仿真的热点缺陷图形输出，优化并更新设计规则，并以更新的设计规则更新仿真版图，并返回步骤S03。
【技术特征摘要】
1.一种版图设计规则的优化方法，其特征在于，包括：
S01，提供包含初始的设计规则的初始版图；
S02，将初始版图进行关键图形的拆分，以获得关键图形版图，以关键图
形版图中至少部分版图作为仿真版图；
S03，对仿真版图进行光源掩模协同优化仿真，以获得包括优化的光源、
与光源配套的掩模板和光刻光学模型的仿真结果；
S04，对光源掩模协同优化的仿真结果进行可制造性仿真，以检测工艺窗
口是否满足预定要求；
S05，若可制造性仿真的结果不满足预定要求，则根据可制造性仿真的热
点缺陷图形输出，优化并更新设计规则，并以更新的设计规则更新仿真版图，
并返回步骤S03。
2.根据权利要求1所述的版图设计规则的优化方法，其特征在于，若
可制造性评估结果满足预定要求，还包括：
S06，获得更新的设计规则下的初始版图，并将初始版图进行关键图形和
非关键图形的拆分，以获得拆分版图；
S07，在S05中的可制造性评估结果满足预定要求时的光源和光刻光学模
型下，进行拆分版图的光学临近效应矫正，以获得矫正的拆分掩模版，并对
矫正的拆分掩模版进行可制造性仿真，以检测工艺窗口是否满足预定要求；
S08，若可制造性仿真的结果不满足预定要求，则根据可制造性仿真的热
点缺陷图形输出，优化并更新设计规则，并以更新的设计规则更新拆分版图，
返回步骤S07。
3.根据权利要求2所述的版图设计规则的优化方法，其特征在于，在步
骤S08中，根据可制造性仿真的热点缺陷图形输出，优化并更新设计规则的
方法包括：
将可制造性仿真输出的热点缺陷图形更新至热点图形库中；
将热点图形库中的热点图形按照几何形状进行图形分类，以获得不同的
图形类别；
按照不同的图形类别分别进行设计规则的优化，获得更新的设计规则。
4.根据权利要求3所述的版图设计规则的优化方法，其特征在于，图形
类别包括双L型图形、U型图形、H型图形、T型图形、点到点图形或点到
边图形中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的版图设计规则的优化方法，其特征
在于，初始版图的获得方法包括：
提供多个图形单元，图形单元中包括由初始的设计规则设计的版图图形；
设置图形绘制权重，图形绘制权重包括图形单元权重、图形单元中横向
图形和纵向图形的权重和/或设计规则的权重；
根据图形绘制权重，通过图形单元绘制预设大小的随机版图，该随机版
图为初始版图。
6.一种版图设计规则的优化系统，其特征在于，包括：
初始版图单元，用于提供包含初始的设计规则的初始版图；
关键图...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓菁，陈颖，段英丽，韦亚一，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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