【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请大体上涉及集成电路设计和在半导体晶片上的制造，更特别地，涉及在半导体晶片上的多条切锯通道之间制造非矩形单元片。
技术介绍
在半导体晶片处理过程中，集成电路(ICs)在半导体晶片上形成。一般地，不同材料的层，半导体的、导电的或者是绝缘的，都用于形成ICs。这些材料用各种众所周知的处理方法进行掺杂、沉积和蚀刻从而形成ICs。每个半导体晶片都经过处理形成大量含有ICs的单独区域，称作单元片。在单元片之间的被称作切锯通道(saw steet)的区域内的晶片上，还可以形成测试电路、测试焊垫(test pad)和对准标记。在集成电路形成处理之后且在分离单元片之前，可以对整个晶片进行测试。尽管多个单元片一起附着在单个晶片上，但是半导体制造商通常进行单元片的晶片级测试。在单元片之间的切锯通道内形成的测试电路和测试焊垫用于辅助执行单元的晶片级测试。在执行进一步的测试和封装之前，晶片级测试识别坏的单元片。因此，晶片级测试允许制造商识别并抛弃不满意的单元片。测试后，对晶片进行切割，使单个的单元片彼此分离用于封装或者以未封装的形式用在更大的电路内。两种用于切割晶片的技术包括划线...
【技术保护点】
一种半导体晶片，包括：在晶片上形成的多个单元片，该多个单元片具有非矩形的形状，有至少一个切口隅角；和限定于多个单元片之间的多条切锯通道，其中在多条切锯通道中两条的交叉点上，两个相邻单元片的隅角之间限定的距离大于该两个 相邻单元片之间的最小距离。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-3-13 60/4539211.一种半导体晶片，包括在晶片上形成的多个单元片，该多个单元片具有非矩形的形状，有至少一个切口隅角；和限定于多个单元片之间的多条切锯通道，其中在多条切锯通道中两条的交叉点上，两个相邻单元片的隅角之间限定的距离大于该两个相邻单元片之间的最小距离。2.根据权利要求1的半导体晶片，其中多个单元片至少有一个边与切锯通道不平行且不正交。3.根据权利要求1的半导体晶片，其中多个单元片为八边形。4.根据权利要求1的半导体晶片，其中多个单元片为六边形。5.根据权利要求1的半导体晶片，其中至少有一个切口隅角为正方形或者曲线形。6.根据权利要求1的半导体晶片，其中切锯通道是非直线的。7.根据权利要求1的半导体晶片，其中切锯通道与多个单元片的至少一个边正交。8.根据权利要求1的半导体晶片，其中切锯通道与多个单元片的任何一边都不正交。9.根据权利要求1的半导体晶片，进一步包括在多条切锯通道中两条的交叉点上形成的牺牲结构。10.根据权利要求9的半导体晶片，其中牺牲结构至少有一个维度大于两个相邻单元片之间的最小距离。11.根据权利要求10的半导体晶片，其中多条切锯通道的宽度小于牺牲结构的至少一个维度。12.根据权利要求9的半导体晶片，其中牺牲结构的至少一个边与多条切锯通道正交。13.根据权利要求9的半导体晶片，其中牺牲结构的至少一个边与多条切锯通道不正交。14.一种刻线板，其利用光刻处理形成根据权利要求1的多个单元片和多条切锯通道。15.一种半导体晶片，包括形成于晶体上的多个单元片，该多个单元片具有非矩形的形状；限定于多个单元片之间的多条切锯通道；和在多条切锯通道中两条...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。