【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造中的测试装置，特别是涉及一种用于检测 金属线与绝缘层应力异常的电性测试键。
技术介绍
在晶片制造过程中，金属线与绝缘层的应力是个很关键的问题，由于 顶层互联线的疏密差异较大，金属线左右两侧的空间不同，导致左右两侧 受到的应力不同，因此金属线会向应力小的一侧弯曲，造成金属线变形。 若现象严重则会出现桥接，导致产品报废；有些变形不会明显的桥接在一 起，所以不易察觉和量测，但是仍然会造成可靠度问题和生产上的浪费。电性测量WAT (Wafer Acceptance Test)是半导体制程中重要的监测 方法，通过使用多个测试键来测试晶片各项参数的合格率。但是，迄今为 止，还没有专门用来测试金属线与绝缘层应力异常的电性测试键。
技术实现思路
本技术的目的是，提出一种电性测试键，利用金属线侧弯发生的 特点，设计两种受影响状况不同的平行金属线，用来检测应力问题；利用 两种金属线之间的漏电流的比值，并以统计制程管制的方法来控管这个比 值， 一旦线上出现异常，便可迅速甚至提前发现。本技术的目的是通过如下技术方案实现的 一种电性测试键，其 结构为，在电性连接垫的上下...
【技术保护点】
一种电性测试键，其特征在于，在电性连接垫的上下两侧各放置两条基本平行的金属线，其中一侧的两条金属线为裸露的平行线，另一侧的两条平行的金属线的两侧各有一条虚设的金属线，以保护中间的两条金属线不会被异常所影响。
【技术特征摘要】
1.一种电性测试键，其特征在于，在电性连接垫的上下两侧各放置两条基本平行的金属线，其中一侧的两条金属线为裸露的平行线，另一侧的两条平行的金属线的两侧各有一条虚设的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙锦华，王政烈，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[]
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