【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片表面的杂质去除,具体涉及化学机械抛光后处于半导体 芯片表面量测结构处沉积缺陷颗粒的去除,属于半导体制造
技术介绍
在半导体器件的制备过程中,经常会在具有不同物理层的半导体器件表面上先 形成凸起或凹陷的结构,再进行平坦化将晶圆表面整平以完成器件结构。在现有技术 中,通常使用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺整平凸凹不平的 晶圆表面。化学机械抛光是集成电路(Integrated Circuit,IC)向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物,也是晶圆向200mm、300mm乃至更大直径过渡、提高生产 效率、降低制造成本及衬底全局平坦化必备的工艺技术。化学机械抛光技术使用含有致 密的抛光颗粒(例如二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒等)的溶液进行,在CMP工艺之后,这 些抛光颗粒成为缺陷微粒,必须从晶圆表面完全除去以保持器件性能的可靠性和生产线 的清洁度。在现有技术中,常用的去除化学机械抛光后晶圆表面残留的缺陷微粒的方法是 采用化学清洗溶液以及去离子水进行清洗,或者再结合刷洗工艺,以去除粘 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片,其包括至少一物理层,其特征在于,在需要进行化学机械抛光的物理层具有量测结构,所述量测结构为凹陷的沟槽结构,且量测结构侧壁倾斜,其剖面形状为梯形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:曾明,张辰明,杨要华,
申请(专利权)人:无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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