一种半导体芯片制造技术

技术编号:5019647 阅读:209 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体芯片,包含至少一物理层,通过将位于需要进行化学机械抛光的物理层表面的量测结构侧壁制备成倾斜状,使其剖面呈梯形,来降低化学机械抛光过程中缺陷颗粒在侧壁处的沉积量和清洗难度。倾斜侧壁的引入,使得清洗剂更容易进入到侧壁缺陷颗粒沉积处发挥作用,且在清洗过程中缺陷颗粒受到竖直方向阻力较小,可更容易的顺着倾斜的侧壁被水流带走或用毛刷刷走。该结构简单便利,不提高任何工艺从本,有效提高了晶圆表面清洗的质量,彻底清除化学机械抛光残留的缺陷颗粒,提高后续光刻等工艺的精度,使器件结构的尺寸精度及器件性能均得到更好的保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片表面的杂质去除,具体涉及化学机械抛光后处于半导体 芯片表面量测结构处沉积缺陷颗粒的去除,属于半导体制造

技术介绍
在半导体器件的制备过程中,经常会在具有不同物理层的半导体器件表面上先 形成凸起或凹陷的结构,再进行平坦化将晶圆表面整平以完成器件结构。在现有技术 中,通常使用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺整平凸凹不平的 晶圆表面。化学机械抛光是集成电路(Integrated Circuit,IC)向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物,也是晶圆向200mm、300mm乃至更大直径过渡、提高生产 效率、降低制造成本及衬底全局平坦化必备的工艺技术。化学机械抛光技术使用含有致 密的抛光颗粒(例如二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒等)的溶液进行,在CMP工艺之后,这 些抛光颗粒成为缺陷微粒,必须从晶圆表面完全除去以保持器件性能的可靠性和生产线 的清洁度。在现有技术中,常用的去除化学机械抛光后晶圆表面残留的缺陷微粒的方法是 采用化学清洗溶液以及去离子水进行清洗,或者再结合刷洗工艺,以去除粘附在晶圆表 面或沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片,其包括至少一物理层,其特征在于,在需要进行化学机械抛光的物理层具有量测结构,所述量测结构为凹陷的沟槽结构,且量测结构侧壁倾斜,其剖面形状为梯形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曾明张辰明杨要华
申请(专利权)人:无锡华润上华半导体有限公司无锡华润上华科技有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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