【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术是一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于利用离子注入剥离法所得到的剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平坦化，其后，进行牺牲氧化处理而调整上述SOI层的膜厚。由此，提供一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法能够有效地制造具有充分降低了SOI层表面的表面粗糙度且减少了SOI层表面的较深的凹坑的高质量的SOI层的SOI晶片。【专利说明】贴合SOI晶片的制造方法
本专利技术涉及使用了离子注入剥离法的贴合SOI晶片的制造方法，尤其涉及将注入 了氢离子等的硅单晶片与成为支撑基片的衬底晶片贴合之后进行剥离而制造贴合SOI晶 片的方法。
技术介绍
最近，作为贴合SOI晶片的制造方法，将注入了离子的键合晶片贴合之后进行剥 离而制造贴合晶片的方法（离子注入剥离法：还称之为智能剥离法（注册商标）的技术） 重新开始引人瞩目。该离子注入剥离法是如下技术（参...
【技术保护点】
一种贴合SOI晶片的制造方法，该贴合SOI晶片的制造方法通过从由单晶硅构成的键合晶片的表面注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子而在该键合晶片内部形成离子注入层，并将上述键合晶片的注入了离子的一侧的表面与衬底晶片的表面隔着绝缘膜贴合之后，在上述离子注入层剥离上述键合晶片的一部分而制造在上述衬底晶片上具有由上述键合晶片的薄膜构成的SOI层的贴合SOI晶片，上述贴合SOI晶片的制造方法其特征在于，对于上述剥离后的贴合SOI晶片进行RTO处理，去除通过该RTO处理而形成于上述SOI层表面的氧化膜之后，进行使上述SOI层表面的硅原子产生迁移的平坦化热处理，而使上述SOI层表面平...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林德弘，石塚徹，阿贺浩司，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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