【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及研磨工件的表面时所使用的研磨装置中的用于保持工件的。
技术介绍
伴随着近几年的半导体器件的高集成化,用于它的半导体硅片的平面度的要求越来越严格。而且,为了提高半导体芯片的收获率甚至要求晶片的边缘附近的区域的平面性。硅片的最终形状由最终工序即镜面研磨加工决定。尤其,在例如直径为300_等的大直径的硅片为了满足严格的平面度的规格标准进行在双面研磨的一次研磨,然后为了改进表面的瑕疵或面粗糙度而进行在单面的表面二次研磨及完工研磨。在单面的表面二次研磨及完工研磨中要求维持在双面一次研磨中所做成的平面度并要求将表面侧做成无瑕疵等缺陷的完全镜面。将通常的单面研磨装置的概略图表示在图5中。该单面研磨装置101由粘贴有砂布107的定盘106、研磨剂供给机构(未图示)、以及研磨头120等构成。在该单面研磨装置101中在研磨头120保持工件W且从研磨剂供给机构向砂布107上供给研磨剂,并且通过使定盘106和研磨头120分别旋转使得工件W的表面与砂布107滑动接触而进行研磨。作为在研磨头保持工件的方法有利用蜡等粘接剂在平坦的圆盘状板上粘贴工件等方法。另外,有基于抑 ...
【技术保护点】
一种研磨头的高度方向位置的调节方法,该研磨头的高度方向位置的调节方法用于研磨装置,该研磨装置具备:粘贴于定盘上的砂布;用于向该砂布供给研磨剂的研磨剂供给机构;以环形导向环保持工件的侧面并且保持所述工件的背面的研磨头;测定该研磨头和所述定盘中至少一方的负荷转矩电流的转矩测定机构;以及使所述研磨头在高度方向上下移动而调节所述导向环与所述砂布之间的距离的高度调节机构,所述研磨装置对所述砂布按压保持于通过所述高度调节机构调节到规定位置的所述研磨头的所述工件而进行研磨,所述研磨头的高度方向位置的调节方法其特征在于,具有:在使未保持有所述工件的所述研磨头定位到与所述砂布不接触的高度方向 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.27 JP 2011-1187441.一种研磨头的高度方向位置的调节方法,该研磨头的高度方向位置的调节方法用于研磨装置,该研磨装置具备:粘贴于定盘上的砂布;用于向该砂布供给研磨剂的研磨剂供给机构;以环形导向环保持工件的侧面并且保持所述工件的背面的研磨头;测定该研磨头和所述定盘中至少一方的负荷转矩电流的转矩测定机构;以及使所述研磨头在高度方向上下移动而调节所述导向环与所述砂布之间的距离的高度调节机构,所述研磨装置对所述砂布按压保持于通过所述高度调节机构调节到规定位置的所述研磨头的所述工件而进行研磨,所述研磨头的高度方向位置的调节方法其特征在于,具有: 在使未保持有所述工件的所述研磨头定位到与所述砂布不接触的高度方向的位置之后,使所述研磨头和所述定盘中至少一方旋转的工序; 通过所述高度调节机构边使所述研磨头靠近所述砂布直至接触边通过所述转矩测定机构测定所述已旋转的研磨头与所述定盘中至少一方的负荷转矩电流,并将该所测定的负荷转矩...
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