【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，其利用反射光谱法来测定半导体器件所使用的带两层薄膜晶片的膜厚分布。
技术介绍
近年来，伴随着设计规则的微细化，开始使用绝缘体上硅(Silicon-On-1nsulator, SOI)晶片，该SOI晶片用于全耗尽绝缘体上娃(Fully DepletedSOI, FD-S0I)器件、鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor, FinFET)器件、以及娃纳米线晶体管(Silicon Nanowire Transistor)等SOI器件,且具有要求特别高的膜厚均勻性的超薄薄膜的SOI层。在这些器件中，SOI膜厚和埋入式氧化膜(Buried Oxide Film,BOX膜)厚的均匀性在决定晶体管的特性方面，成为重要的指标。算出在基片的表面具有薄膜这种带薄膜晶片的薄膜的膜厚分布的现有膜厚测定方法，通常是利用椭圆偏振光谱法、反射光谱法来测定每个点的膜厚，而能够以高处理能力(Through-put)且以高精度对晶片整个面进行膜厚分布测定的膜厚分布测定装置尚未市场销售。在利用椭圆偏振光谱法、反射光谱法的点测定中，在每个测定...
【技术保护点】
一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.28 JP 2011-2873971.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括: 通过模拟算出量变曲线Pi的工序，该量变曲线Pi表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性； 通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性； 算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31( = P21 一 Pl)，并求出所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ I的工序； 选择包括上述所求出的波长λ I的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及， 向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。2.根据权利要求1所述的膜厚分布测定方法，其特征在于， 在选择包括上 述所求出的波长λ I的波段的工序中，从波长λ l±50[nm]的范围内选择上述波段。3.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第二薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括: 通过模拟算出量变曲线Pi的工序，该量变曲线Pi表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性； 通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚Tl薄或厚t[nm]的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性； 算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32( = P22 一 Pl)，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ 2的工序； 选择包括上述所求出的波长λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及， 向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄...
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