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本发明是一种膜厚分布测定方法，该方法执行如下工序：算出量变曲线P1，该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出量变曲线P21，该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜的设...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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