制造太阳能电池的方法及用此法制造的太阳能电池技术

在半导体单晶基片２４的第一主表面２４ａ上形成了多个近于平行的沟槽２，而在每个沟槽２的内侧面上形成用于引出电池的金属电极６，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层４９后，包含化学镀层、电镀层和热浸层中至少任何一层的主电极金属层５０形成在含金属底层４９上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池及制造该太阳能电池的方法。
技术介绍
附着在太阳能电池受光面的电极往往会妨碍入射光进入太阳能电池，从而造成阴影损耗并降低了能量转换效率，所以，已经作出关于电极的布置、图形宽度等等各种改良尝试。形成电极的已知方法包括采用银浆的网板印刷，通过掩膜的金属沉积，以及通过形成图形的防护膜来电镀或真空沉积，而从经济观点来看，通常是采用网板印刷的。但是，通过网板印刷形成的电极，在目前要受到限制，就是只能使电极的宽度变薄到100μm左右那样宽而阴影损耗只能减小到7到8％左右那样低。所以，长期以来就认为在上面提到的极限范围之外的任何改良是困难的。近年来，OECO(斜蒸发接触)方法因为能以低成本做出比网板印刷更精细的电极而吸引了人们的关注。该OECO方法是由德国Institut furSolarenergieforschung Hamelu/Emmerthal(ISFH)的R.Hezel等人提出的一种制造太阳能电池的方法，并在Renewable Energy，Vol 14，p83(1998)中作为例子揭示过(用OECO方法制造的太阳能电池在下文中简称为OECO太阳能电池)。O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，这种太阳能电池是这样构筑的，在半导体单晶基片的第一主表面上形成多个平行的沟槽，在沟槽的横着方向观看时在一侧的每个沟槽中的内侧面上被用作电极形成区，在这个区上形成了用于电池输出的金属电极，其中的金属电极是通过在电极形成区上首先形成含金属底层，然后通过在含金属底层上形成包含化学镀层，电镀层和热浸层中的至少任何一种层的主电极金属。

【技术特征摘要】
JP 2001-1-31 24239/01;JP 2001-2-28 54544/011.一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，这种太阳能电池是这样构筑的，在半导体单晶基片的第一主表面上形成多个平行的沟槽，在沟槽的横着方向观看时在一侧的每个沟槽中的内侧面上被用作电极形成区，在这个区上形成了用于电池输出的金属电极，其中的金属电极是通过在电极形成区上首先形成含金属底层，然后通过在含金属底层上形成包含化学镀层，电镀层和热浸层中的至少任何一种层的主电极金属。2.如权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，所述含金属底层是作为比主电极金属层薄的沉积金属的层来形成的。3.如权利要求1或2所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，所述含金属底层是有催化功能的薄层，而催化功能的薄层，而化学镀层是沉积在有催化功能的薄层上。4.如权利要求3所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于，所述组成有催化功能层的金属主要是由钯或铂组成的。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥正俊，大冢宽之，阿部孝夫，生岛聪之，渡部武纪，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]