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在半导体单晶基片２４的第一主表面２４ａ上形成了多个近于平行的沟槽２，而在每个沟槽２的内侧面上形成用于引出电池的金属电极６，这个内侧面用作电极形成区，在沟槽的横着方向观看时的一侧上。在电极形成区形成含金属底层４９后，包含化学镀层、电镀层和热浸...
该专利属于信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社授权不得商用。

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