【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种单晶硅生长装置，其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚，在该石墨坩埚的内侧配置石英坩埚，并从该石英坩埚内装满的原料熔融液中使结晶生长，基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅生长装置，其特征在于，在所述石墨加热器的外侧具有加热器外侧绝热部件，在所述石墨坩埚的下部具有坩埚下部绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部上方具有坩埚上部绝热部件，具有在所述石墨坩埚上升时位于其直体部外侧的坩埚外侧绝热部件，在所述石墨坩埚及所述石英坩埚的直体部内侧具有坩埚内侧绝热部件，在所述原料熔融液液面的上方具有隔热部件，在所述坩埚上部绝热部件、所述坩埚外侧绝热部件和所述坩埚内侧绝热部件的内侧所形成的空间内，所述石墨坩埚以及所述石英坩埚可在结晶成长轴方向上升降。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：星亮二，菅原孝世，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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