【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及以硅晶片为代表的晶片的形状评价方法及晶片形状评价装置。还有，本专利技术还涉及提高半导体器件制造方法、特别是使用曝光机的器件工序中的成品率的晶片及晶片挑选方法。近年来，随着半导体器件技术的飞跃进步、半导体器件的高集成化十分显著，随着这些进步对半导体晶片品质的要求也更加严格。半导体器件的制造使用的是经过这样单晶制造工序、晶片加工工序得到的镜面磨抛晶片。在器件制造工序中，通常要进行20～30次的感光胶图形形成工序。最近，半导体集成电路的高集成化更加迅速，与此相伴要求电路图形进一步微细化。以DRAM(dynamic random access memory)为例，现在批量生产的64M位DRAM的感光胶图形是0.25μm～0.20μm，在它的照相制版工序中所使用的光源，使用最多的是紫外光的KrF准分子激光(波长＝248nm)。还有，随着图形的微细化对图形的尺寸精度、套准精度的要求也进一步提高。随着这些进步，对作为器件基础的硅晶片品质要求也更加严格。就是说，半导体器件的高集成化招来了器件尺寸的缩小化，在硅晶片上存在微小起伏的情况时，在光刻工序中器件图形上就...
【技术保护点】
一种晶片形状评价方法，其特征在于： 在晶片面内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第１区域，算出在该第１区域的基准线或者基准面，在该第１区域外设定准备评价的第２区域，将该基准线或者基准面外插到该第２区域，分析该第２区域的形状和在该第２区域内的基准线或者基准面的差，算出表面特性。
【技术特征摘要】
JP 2001-9-14 280501/01;JP 2000-11-16 350151/001.一种晶片形状评价方法，其特征在于在晶片面内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域，算出在该第1区域的基准线或者基准面，在该第1区域外设定准备评价的第2区域，将该基准线或者基准面外插到该第2区域，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的基准线或者基准面的差，算出表面特性。2.根据权利要求1所述的晶片形状评价方法，其特征在于在从所述第1区域的边界线到边缘部的范围内设置所述第2区域，分析在该第2区域内的任意多个位置的形状和在这些位置上的所述基准线或者基准面的差，将该值的最大值作为表面特性(突起)A算出。3.根据权利要求1所述的晶片形状评价方法，其特征在于在从所述第1区域的边界线到边缘部的范围内设置所述第2区域，分析在该第2区域内的任意多个位置的形状和在这些位置上的所述基准线或者基准面的差，将该值的最小值作为表面特性(塌边)B算出。4.根据权利要求1～3中任何一项所述的晶片形状评价方法，其特征在于在所述晶片面内以规定的间隔测量的晶片形状是对晶片表面垂直方向的位移或者晶片厚度。5.根据权利要求1～4中任何一项所述的晶片形状评价方法，其特征在于读入从所述晶片中心部到边缘部的形状剖面图，算出在所述第1区域内由晶片中心部附近到该第1区域边界线为止的所述基准线。6.根据权利要求5所述的晶片形状评价方法，其特征在于由读入晶片面内多个地方的从所述晶片中心部到边缘部的形状剖面图用它的平均值分析表面特性。7.根据权利要求5所述的晶片形状评价方法，其特征在于读入从所述晶片中心部到边缘部的形状剖面图，从各自的形状剖面图分析表面特性，从分析的多个表面特性求出它的平均值。8.根据权利要求1～4中任何一项所述的晶片形状评价方法，其特征在于所述第1区域的基准面是读入从晶片中心部到边缘部的晶片面内的数据、由这些数据算出的。9.一种晶片形状评价方法，其特征在于在晶片面内以规定的间隔测量晶片的形状，由测量的晶片形状，在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域，算出在第1区域内的基准线或者基准面，在该第1区域内求出该基准线或者基准面和实测值的差，将这些差的标准偏差σ作为表面特性(波纹度)C算出。10.根据权利要求9所述的晶片形状评价方法，其特征在于在所述晶片面内以规定间隔测量的晶片形状是对晶片表面垂直方向的位移或者厚度。11.根据权利要求9或10所述的晶片形状评价方法，其特征在于读入从所述晶片中心部到边缘部的形状剖面图，算出在所述第1区域内从晶片中心部到该第1区域边界线的所述基准线。12.根据权利要求11所述的晶片形状评价方法，其特征在于由读入在晶片面内的多个地方的从所述晶片中心部到边缘部的形状剖面图、用它的平均值分析表面特性。13.根据权利要求11所述的晶片形状评价方法，其特征在于读入从所述晶片中心部到边缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林诚，松川和人，山本秀和，前岛伸六，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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