研磨装置的管理方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种研磨装置的管理方法。本发明专利技术的目的在于：提供一种管理研磨装置的方法，使其能够减少在晶片之间产生的研磨量的不均匀，进行高精度地研磨。具备检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器的研磨装置的管理方法，包括：将在等待晶片的研磨的第１时间由压力检测器检测出的第１压力值、和在进行晶片的研磨的第２时间由压力检测器检测出的第２压力值的差值计算出来，作为在第２时间实际施加在晶片上的实际压力值的步骤；以及监测实际压力值的步骤。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的高集成化，在半导体制造工序中，通过高精度地研磨半导体元件使其平坦化的技术越来越重要。在平坦化技术中，CMP化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish)技术为实现平坦化的最优方法，被应用在进行层间绝缘膜的平坦化及元件分离形成时在半导体衬底上留下的残留氧化膜的研磨等。在CMP中，通过并用机械研磨和化学作用，来对半导体衬底的表面进行研磨。由于CMP中的研磨状态非常依存于研磨布和半导体衬底的机械接触状态，因此为了将半导体衬底进行全面高精度的研磨，必须要对研磨时施加在半导体衬底的压力(研磨压力)进行控制。以下，参照图9及附图说明图10对进行研磨压力的控制的现有晶片研磨装置加以说明。图9为剖面图，表示现有晶片研磨装置的结构。图9所示的以往的晶片研磨装置，包括与被支持架100支持的轴承构件101连接的、旋转自由的拥有大约700kg的重量的上研磨台102；及与该上研磨台102面对面设置的、进行旋转驱动的下研磨台103。并且，在支持架100与轴承构件101之间，设置有为检测出施加在被研磨材的晶片104上的压力的压力检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨装置的管理方法，其包括检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器，其特征在于：包括：将在等待研磨所述晶片的第１时间由所述压力检测器检测出的第１压力值、和在进行所述晶片研磨的第２时间由所述压力检测器检测出的第２压力值的差 值计算出来，作为在所述第２时间实际施加在所述晶片上的实际压力值的步骤；以及监测所述实际压力值的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-15 2003-1971501.一种研磨装置的管理方法，其包括检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器，其特征在于包括将在等待研磨所述晶片的第1时间由所述压力检测器检测出的第1压力值、和在进行所述晶片研磨的第2时间由所述压力检测器检测出的第2压力值的差值计算出来，作为在所述第2时间实际施加在所述晶片上的实际压力值的步骤；以及监测所述实际压力值的步骤。2.根据权利要求第1项所述的研磨装置的管理方法，其特征在于所述监测实际压力值的步骤，包括根据所述实际压力值算出所述晶片的研磨速度，且监测算出的所述研磨速度的步骤。3.根据权利要求第2项所述的研磨装置的管理方法，其特征在于所述监测实际压力值的步骤，包括根据所述研磨速度和所述第2时...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫坂幸太郎，今井伸一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]