图象传感器的制造方法及图象传感器技术

一种图象传感器的制造方法，将具有包含第１导电型的第１区及和所述第１导电型不同的第２导电型的第２区的第１光电二极管、包含所述第２区及和所述第１导电型的第３区的第２光电二极管的传感器部在半导体基板上排列多个而成。该方法包括：在半导体基板上形成的所述第１区上，通过外延生长形成所述第２导电型的所述第２区的工序；在所述第２区上，通过外延生长形成所述第１导电型的所述第３区的工序。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有包含光电二极管的多个传感器部的图象传感器及其制造方法。
技术介绍
在图象传感器中，排列有包含光电二极管的多个传感器部，可以测量有关该传感器部排列方向的光量分布。这种光电二极管，在现有技术中，例如通过往形成N型的第1区的半导体基板的表层部，掺入P型杂质后使其扩散，形成P型的第2区的方法制造。这样，可以得到包含N型的第1区和在其上形成的P型的第2区的第1光电二极管(例如，参阅特开2000-312024号公报)。另外，有时在第2区上形成N型的第3区。这样，在第1光电二极管的基础上，还可以得到包含第2区和第3区的第2光电二极管。这时，通过给第1及第2光电二极管外加反向偏置电压，可以很容易地使第2区成为耗尽区。第2区成为完全的耗尽区时，对一定的光量而言的光电二极管的光电动势(光电流)成为最大的同时，光电二极管的电容还成为最小。这种第3区，通过向包含第2区的区域扩散N型杂质后形成。可是，如果第2区及第3区没有以所定的杂质浓度状态(所定厚度及所定的杂质浓度)形成，就不能使第2区成为完全的耗尽区，难以通过扩散准确控制杂质浓度状态。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是要提供容易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图象传感器的制造方法，其特征在于：是制造将具有包含第１导电型的第１区及与所述第１导电型不同的第２导电型的第２区的第１光电二极管、和包含所述第２区及所述第１导电型的第３区的第２光电二极管的传感器部在半导体基板上排列多个而成的图象传感器；　　　　包括：在半导体基板上形成的所述第１区上，通过外延生长形成所述第２导电型的所述第２区的工序；和　　　　在所述第２区上，通过外延生长形成所述第１导电型的所述第３区的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-16 2003-1979651.一种图象传感器的制造方法，其特征在于是制造将具有包含第1导电型的第1区及与所述第1导电型不同的第2导电型的第2区的第1光电二极管、和包含所述第2区及所述第1导电型的第3区的第2光电二极管的传感器部在半导体基板上排列多个而成的图象传感器；包括在半导体基板上形成的所述第1区上，通过外延生长形成所述第2导电型的所述第2区的工序；和在所述第2区上，通过外延生长形成所述第1导电型的所述第3区的工序。2.如权利要求1所述的图象传感器的制造方法，其中，形成所述第2区的工序，包括在包含相当于所述第1区上的所述第2区的区域在内的区域上，形成所述第2导电型的第1外延层的工序；形成所述第3区的工序，包括在包含相当于所述第1外延层上的所述第3区的区域在内的区域上，形成所述第1导电型的第2外延层的工序；还包括向从所述第1外延层到所述第2外延层的所定区域，掺入所述第1导电型杂质，形成杂质浓度高于所述第3区的所述第1导电型的阱层，从而使所述第1外延层被所述阱层分离而成多个所述第2区，以及使所述第2外延层被所述阱层分离而成多个所述第3区的工序。3.如权利要求2所述的图象传感器的制造方法，其特征在于还包括在形成所述阱层的工序后，有选择地使所述阱层的表面及其附近氧化，形成元件分离区的工序。4.如权利要求1～3任一项所述的图象传感器的制造方法，其特征在于还包括向所述第3区的表层部，掺入所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽濑研介，松本裕司，泽清隆，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]