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本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第１区域（Ｗ１），算出在该第１区域（Ｗ１）的基准线（１０ａ）或者基准面（１０ｂ），在该第１...
该专利属于信越半导体株式会社;三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社;三菱电机株式会社授权不得商用。

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