发光元件的制造方法、化合物半导体晶圆及发光元件技术

本发明专利技术提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板１上，依次外延生长由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部２４与电流扩散层７，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部２４外延生长于成长用单结晶基板１上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层７外延生长于发光层部２４上的氢化物气相成长步骤。然后，使电流扩散层７具有位于靠近发光层部２４之侧的低速成长层７ａ、与连接该低速成长层７ａ的高速成长层７ｂ，在氢化物气相成长步骤中，将低速成长层７ａ的成长速度设定为小于高速成长层７ｂ的成长速度来成长。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种发光元件的制造方法、化合物半导体晶圆及发光元件。
技术介绍
(专利文献l)美国专利第5,008,718号公报〔专利文献2〕日本特开平2004—128452号公报 发光层部由(AlxGa卜x)yln卜yP固溶体(其中，O^x^l, O^y^l,以下亦 记载成AlGalnP固溶体，或仅记载成AlGalnP)所形成的发光元件，是釆用 以能带间隙大于薄AlGalnP有源层的n型AlGalnP包覆层与p型AlGalnP 包覆层，挟持该薄AlGalnP有源层成三明治状的双异质结构，由此而可实 现高亮度的元件。例如，以AlGalnP发光元件为例，是以在n型GaAs基板上形成异质 的方式，依次积层n型GaAs缓冲层、n型AlGalnP包覆层、AlGalnP有源 层、p型AlGalnP包覆层，以形成具有双异质结构的发光层部。对发光层部 进行通电，则是透过元件表面所形成的金属电极。此处，由于金属电极为 一遮光体，因此以例如仅覆盖在发光层部主表面之中央部的方式形成，而 使光线从其周围非电极形成区域射出。此时，由于尽可能缩小金属电极的面积，可使电极周围所形成的光亮 区域面积变得较大，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板上，依次外延生长分别由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所形成的发光层部与电流扩散层，其特征在于，依次实施以下两步骤：　有机金属气相成长步骤，是在该成长用单结晶基板上以有机金属气相成长法外延生长上述发光层部；　氢化物气相成长步骤，是在该发光层部上以氢化物气相成长法外延生长上述电流扩散层；　且使该电流扩散层成长为具有位于靠近该发光层部之侧的低速成长层与连接该低速成长层的高速成长层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：久米史高，筱原政幸，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]