大功率发光二极管及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种大功率发光二极管，包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片，导热支架的顶端具有凹腔，发光二极管芯片安装于凹腔底部，硅胶树脂光学透镜成型于导热支架上且对凹腔进行密封，导热支架容置有正、负极引线，发光二极管芯片具有与正、负极引线对应的正、负极焊接点，发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层，锡膏层将发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。本发明专利技术在发光二极管芯片与导热支架之间增加锡膏层，使发光二极管芯片的热量及时传导出，结温低到７５℃～９５℃，使发光效率可达到１００流明每瓦特以上、光通量可达到１００流明以上，延长了发光二极管的寿命。另，本发明专利技术还公开了大功率发光二极管的封装方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种。
技术介绍
能源缺乏问题已成为制约当今世界可持续发展的瓶颈，因此节能成了当今 世界的重要课题。在照明领域，人们不断地寻求更加节能、环保、安全、使用寿命长的照明工具以取代传统的照明工具。采用发光二极管(LED)灯具作为 照明工具取代传统的白织灯是照明领域质的飞跃。但是由于现阶段发光二极管 (LED)的散热效果差，致使芯片的结温大都处于95。C 150。C高温范围，并且 在封装技术上还存在不同的技术差异，从而导致发光二极管的光效率低、光通 量低及使用寿命短。因此，急需一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导热能力的大 功率发光二极管。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导 热能力的大功率发光二极管。本专利技术的另一目的在于提供一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优 良导热能力的大功率发光二极管的封装方法。为实现上述目的，本专利技术的技术方案为提供一种大功率发光二极管，所 述大功率发光二极管包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管 芯片，所述导热支架的顶端具有凹腔，所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底 部，所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封，所述导热支架容置有正、负极引线，所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点， 所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接，其中， 所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层，所述锡膏层将所述发光二极 管芯片熔接在凹腔底部上。较佳地，所述大功率发光二极管还包括由荧光粉形成的荧光粉层，所述焚 光粉层附着于所述导热支架的凹腔内，所述荧光粉呈不规则的多边形，所述荧光粉的直径为13nm~18pm。直径为13|im~18nin的荧光粉发光效果好，折光率 高，有利于发光二极管提高发光效率。较佳地，所述锡膏层的厚度为0.1mm (U2mm。厚度为0.1mm 0.12mm的 锡膏层具有较高的导热系数，能使发光二极管芯片工作时所产生的热量通过锡 膏层及时的传递到与外界接触的导热支架上，从而使热量较快的传导到外界， 使得发光二极管芯片的结温始终处于较低温度范围内，提高了发光二极管的发 光效率及光通量，并且还延长了发光二极管的使用寿命。较佳地，所述硅胶树脂光学透镜为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。折光率 大于1.5的硅胶树脂制成的硅胶树脂光学透镜具有高导热性和高折光率，使得硅 胶树脂光学透镜透不仅光通量大，而且导热能力强，在增强了本专利技术大功率发 光二极管的光通量的同时还很好地起到散热的效果，可以及时地将发光二极管 芯片工作所产生的热量及时的向外界传导，从而将发光二极管芯片的结温控制 在较降的温度范围内，延长了发光二极管的使用寿命。较佳地，所述导热支架包括金属底座及塑胶主体，所述金属底座镶嵌于所 述塑胶主体内，所述凹腔设于所述金属底座顶端，所述正、负引线容置于所述 塑胶主体容置有正、负极引线。所述金属底座具有良好的导热能力，能够及时 的将内部的热量导出，从而提高了本专利技术大功率发光二极管的光效及使用寿命。本专利技术大功率发光二极管的封装方法，包括如下步骤提供一清洁的导热 支架，所述导热支架的顶端具有凹腔，所述导热支架贯穿有正、负极引线；在 所述导热支架的凹腔底部涂覆一层锡膏；提供至少一个发光二极管芯片，所述 发光二极管芯片具有正、负极焊接点；熔化所述锡膏并将所述发光二极管芯片 熔接固定于所述锡膏层上；将所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接；在所述凹腔内用荧光粉喷涂一层荧光粉层；及，在所 述导热支架上用硅胶树脂成型对凹腔密封的硅胶树脂光学透镜。本专利技术与现有技术相比，由于本专利技术大功率发光二极管在发光二极管芯片 与导热支架之间增加了具有高导热系数的锡膏层，能使发光二极管芯片工作时 所产生的热量通过锡膏层及时的传递到于外界接触的导热支架上，从而使热量 较快的传导到外界，使得发光二极管芯片的结温可由传统的95。C 150。C的高温 范围降低到75。C 95。C的低温范围内，提高了发光二极管的发光效率及光通量， 使本专利技术大功率发光二极管发光效率可达到100流明每瓦特以上、光通量可达 到IOO流明以上，并且还延长了发光二极管的使用寿命。附图说明图1为本专利技术大功率发光二极管的结构示意图。 图2本专利技术大功率发光二极管的封装方法流程图。具体实施例方式如图1所示，本专利技术大功率发光二极管包括导热支架12、硅胶树脂光学透 镜及6发光二极管芯片4，所述发光二极管芯片4至少为一个，所述导热支架 12的顶端具有凹腔10，所述发光二极管芯片4安装于所述凹腔10底部，所述 硅胶树脂光学透镜6成型于所述导热支架12上且对所述凹腔10进行密封，所 述导热支架12容置有正极、负极引线40、 41,所述发光二极管芯片具有正、负 极焊接点(图中未标示)焊接，具体地，所正极引线40包括硬质正极连接件40a 及其柔性正极连接线40b,硬质正极连接件40a—端与外界电性连接，另一端穿 入并容置于所述导热支架12内并与所述柔性正极连接线40b —端焊接，所述柔 性正极连接线40b另一端与所述发光二极管芯片4的正极焊接点焊接，从而实 现发光二极管芯片的正极与外界电性连接；所负极引线41包括硬质负极连接件 41a及其柔性负极连接线41b,石更质负极连接件41a—端与外界电性连接，另一 端穿入并容置所述导热支架12内并与所述柔性负极连接线41b—端焊接，所述柔性负极连接线41b另一端与所述发光二极管芯片4的负极焊接点焊接，从而 实现发光二极管芯片4的负极与外界电性连接；本专利技术大功率发光二极管的发 光二极管芯片4与凹腔10底部之间涂有锡膏层3，所述锡膏层3将所述发光二 极管芯片4熔接在凹腔41底部上。锡膏层3具有高导热系数，能使发光二极管 芯4片工作时所产生的热量通过锡膏层3及时的传递到与外界接触的导热支架 12上，从而使热量较快的传导到外界，使得发光二极管芯片4的结温可由传统 的95。C 150。C的高温范围降低到75。C 95。C的低温范围内，提高了发光二极管 的发光效率及光通量，使本专利技术大功率发光二极管发光效率可达到100流明每 瓦特以上、光通量可达到IOO流明以上，并且还延长了发光二极管的使用寿命。较佳者，所述大功率发光二极管还包括由荧光粉形成的荧光粉层5,所述 荧光粉层5附着于所述导热支架的凹腔10内，所述荧光粉呈不规则的多边形， 所述荧光粉的直径为13)Lim 18nm。直径为13^im 18^m的荧光粉发光效果好， 折光率高，有利于发光二极管提高发光效率。较佳者，所述锡膏层3的厚度为0.1mm 0.12mm。厚度为0.1mm 0.12mm 的锡膏层3具有较高的导热系数，能使发光二极管芯片4工作时所产生的热量 通过锡膏层3及时的传递到与外界接触的导热支架12上，从而使热量较快的传 导到外界，使得发光二极管芯片4的结温始终处于较低温度范围内，提高了发 光二极管的发光效率及光通量，并且还延长了发光二极管的使用寿命。较佳者，所述硅胶树脂光学透镜6为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。折 光率大于1.5的硅胶树脂制成的硅胶树脂光学透镜6具有高导热性和高折光率， 使得硅胶树脂光学透镜6透不仅光通量大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率发光二极管，包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片，所述导热支架的顶端具有凹腔，所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底部，所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封，所述导热支架容置有正、负极引线，所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点，所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接，其特征在于：所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层，所述锡膏层将所述发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐朝丰，
申请(专利权)人：东莞市邦臣光电有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]