发光二极管封装件制造技术

技术编号:14080148 阅读:152 留言:0更新日期:2016-11-30 16:25
本发明专利技术的示例性实施例提供一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片设置在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架。引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组。第一端子组包括从芯片区域的第一侧延伸的第一端子和第二端子以及与芯片区域分开并设置在第一端子和第二端子之间的第五端子。第二端子组包括从芯片区域的第二侧延伸的第三端子和第四端子以及与芯片区域分开并设置在第三端子和第四端子之间的第六端子。第六端子不电连接到发光二极管芯片。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年10月23日、申请号为201280053160.1(国际申请号为PCT/KR2012/008726)、题为“发光二极管封装件和包括该发光二极管封装件的发光模块”的专利申请的分案申请。
本专利技术的示例性实施例涉及一种发光二极管封装件和包括该发光二极管封装件的发光模块。
技术介绍
一般来说,发光二极管封装件可包括发光二极管芯片、引线框架和封装件主体。引线框架可包括具有不同极性的多个端子。封装件主体可支撑引线框架。端子可从封装件主体的内部延伸到封装件主体的外部。发光二极管芯片可电连接到位于封装件主体内部的端子。封装件主体可由塑料树脂(plastic resin)材料或者陶瓷材料形成。由塑料材料形成的封装件主体可具有空腔,空腔用于容纳发光二极管芯片,同时通过空腔光学地暴露发光二极管芯片。或者,封装件主体可至少部分地透明,以允许发光二极管芯片产生的光穿过封装件主体发射到外部。具有暴露在封装件主体外部的多个端子的发光二极管封装件可具有穿过封装件主体的一侧而暴露的一些端子以及穿过封装件主体的另一侧而暴露的其它端子。设置在封装件主体的一侧的端子和设置在封装件主体的另一侧的端子可在发光二极管芯片安装到其上的封装件主体内的交叉区域(crossing region)中彼此连接。在传统的发光二极管封装件的一个示例中,可将单独的端子放置到设置在封装件主体的一侧的两个端子之间,可将另一个单独的端子放置到设置在封装件主体的另一侧的两个端子之间。在这样的传统发光二极管封装件中,端子可具有受限制的宽度并可在封装件主体的限制的区域内按照限制的间隔布置,从而导致在发光二极管封装件的电测试方面的故障。在所述
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术的
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的理解,因此,它可能包含没有形成现有技术的任何部分的信息或者现有技术可能没有提供给本领域普通技术人员的信息。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是提供一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括具有适合的形状、尺寸和布局或其组合的端子,以提高电测试的可靠性和/或结合到印刷电路板的可靠性。技术方案本专利技术的示例性实施例提供一种发光二极管封装件。所述发光二极管封装件包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片设置在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架,其中,引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组,其中,第一端子组和第二端子组均包括连接到芯片区域的第一端子以及与芯片区域分开的第二端子,其中,在封装件主体外部,第一端子的宽度与第二端子的宽度不同。在第一端子组中,在封装件主体内部,第一端子的宽度可小于第二端子的宽度。另外,在第一端子组中,在封装件主体外部,第一端子的宽度可大于第二端子的宽度。在可替换的实施例中,在第二端子组中,在封装件主体内部,第一端子的宽度可大于第二端子的宽度。在其它实施例中,在封装件主体内部,在第一端子组中的第二端子的宽度可大于第二端子组中的第二端子的宽度。另外,在封装件主体外部,在第一端子组中的第二端子的宽度可以与第二端子组中的第二端子的宽度相同。在一些实施例中,第一端子组和第二端子组的每个端子可包括:上平坦部分,设置在封装件主体中;下平坦部分,穿过封装件主体的下表面暴露;连接部分,在封装件主体内连接上平坦部分与下平坦部分。另外,封装件主体可包括设置在引线框架的上表面上的上部分和设置在引线框架的下表面上的下部分,其中,引线框架包括至少一个连接孔,所述上部分和下部分穿过所述至少一个连接孔彼此连接。此外,所述至少一个连接孔可形成在至少一个端子的上平坦部分中。本专利技术的示例性实施例还提供一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片设置在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架,其中,引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组,其中,第一端子组包括从芯片区域的第一侧延伸的第一端子和第二端子以及与芯片区域分开并设置在第一端子和第二端子之间的第五端子,其中,第二端子组包括从芯片区域的第二侧延伸的第三端子和第四端子以及与芯片区域分开并设置在第三端子和第四端子之间的第六端子,其中,在封装件主体内部,第五端子具有比第一端子和第二端子更大的宽度。在封装件主体内部,第五端子可具有比第六端子更大的宽度。在其它实施例中,在封装件主体外部,第一端子和第二端子可具有分别与第三端子和第四端子相同的宽度。在其它实施例中,在封装件主体内部,第一端子和第二端子可具有分别与第三端子和第四端子相同的宽度。在可替换的实施例中,第一端子、第二端子和第五端子可穿过封装件主体的下表面的与封装件主体的下表面的第二侧相对的第一侧延伸到封装件主体的外部,第三端子、第四端子和第六端子穿过封装件主体的下表面的第二侧延伸到封装件主体的外部。所述发光二极管封装件还可包括连接到发光二极管芯片的第一电极和连接到发光二极管芯片的第二电极,其中,第一电极电连接到第一端子、第二端子、第三端子和第四端子,第二电极电连接到第五端子,其中,第一电极具有与第二电极相反的极性,其中,第六端子包括虚拟端子。在一些实施例中,所述芯片区域可包括切口部分。本专利技术的另一示例性实施例还提供一种发光模块,所述发光模块包括印刷电路板和设置在印刷电路板上的发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片安装在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架,其中,引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组,其中,第一端子组和第二端子组均包括连接到芯片区域的第一端子以及与芯片区域分开的第二端子,其中,在封装件主体外部,第一端子的宽度与第二端子的宽度不同,其中,印刷电路板包括与端子连接的多个焊盘。在其它实施例中,第一端子组可包括从芯片区域的第一侧延伸的第一端子和第二端子以及与芯片区域分开并设置在第一端子和第二端子之间的第五端子,其中,第二端子组包括从芯片区域的与第一侧相对的第二侧延伸的第三端子和第四端子以及与芯片区域分开并设置在第三端子和第四端子之间的第六端子,在封装件主体内部,第五端子具有比第六端子更大的宽度。在另外的实施例中,所述发光模块还可包括:散热器,印刷电路板附着到散热器,其中,散热器包括具有与端子的热产生率相对应的不同密度的散热翅片的多个区域。在可替换的实施例中,所述发光模块还可包括:散热器,结合到印刷电路板,其中,散热器的设置在第一端子、第二端子、第三端子和第四端子的正下方的散热器第一区域包括比散热器的设置在第五端子正下方的散热器第二区域或散热器的设置在第六端子正下方的散热器第三区域更高数量的散热翅片。应该理解的是,前面的概括描述以及下面的详细描述是示例性和解释性的,并意图提供对要求保护的本专利技术的进一步解释。本专利技术的有益效果根据本专利技术的示例性实施例,发光二极管封装件包括具有适合的形状、尺寸和/或布局的端子,这可以提高电测试的可靠性和/或结合到印刷电路板的可靠性。因此,在发光二极管封装件的制造中,可提高焊接过程和/或电测试的可靠性。另外,根据本专利技术的示例性实施例,发光二极管封装件的本文档来自技高网
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发光二极管封装件

【技术保护点】
一种发光二极管封装件,包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片设置在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架,其中,引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组,其中,第一端子组包括从芯片区域的第一侧延伸的第一端子和第二端子以及与芯片区域分开并设置在第一端子和第二端子之间的第五端子,其中,第二端子组包括从芯片区域的第二侧延伸的第三端子和第四端子以及与芯片区域分开并设置在第三端子和第四端子之间的第六端子,其中,第六端子不电连接到发光二极管芯片。

【技术特征摘要】
2011.10.27 KR 10-2011-0110651;2012.03.15 KR 10-2011.一种发光二极管封装件,包括:发光二极管芯片;引线框架,包括芯片区域,发光二极管芯片设置在芯片区域上;封装件主体,用于支撑引线框架,其中,引线框架包括设置在芯片区域的第一侧的第一端子组和设置在芯片区域的第二侧的第二端子组,其中,第一端子组包括从芯片区域的第一侧延伸的第一端子和第二端子以及与芯片区域分开并设置在第一端子和第二端子之间的第五端子,其中,第二端子组包括从芯片区域的第二侧延伸的第三端子和第四端子以及与芯片区域分开并设置在第三端子和第四端子之间的第六端子,其中,第六端子不电连接到发光二极管芯片。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,在封装件主体内部,第五端子具有比第一端子和第二端子大的宽度。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,在封装件主体外部,第五端...

【专利技术属性】
技术研发人员:金炳成林相殷李在镇孙延哲
申请(专利权)人:首尔半导体株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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