本实用新型专利技术公开了一种基于NCSP封装技术的封装装置，它涉及CSP封装工艺领域，钢板表面覆盖一层UV膜，UV膜上蒸镀上相应面积的铜层，铜层表面蒸镀上同等面积的镍层，镍层上蒸镀银层，银层的上方设置有锡膏，倒装芯片贴固在锡膏表面，银层厚度为2.0‑3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域，倒装芯片的上部封装有荧光胶，形成一个半成品，半成品的四周设置有一圈圆形蒸镀铜层。它通过蒸镀工艺来实现产品的基板，其总厚度约为60um，芯片底部焊盘与基板紧密的结合，正负级焊盘中间区域也被荧光胶所填充，从而避免了NCSP灯珠在冷热交替环境下使用自身所产生应力而导致芯片受损，灯珠死灯现象。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基于NCSP封装技术的封装装置，属于CSP封装工艺
技术介绍
典型的CSP封装技术，不再需要额外的次级基板或是导线架，直接贴合在载板上，因此业界还称之为白光芯片，免去封装基板后，封装体面积进一步缩小，提高出光角度和光密度，不仅如此，还把传统倒装芯片封装技术中固晶工艺所需的金锡共晶焊接变为低成本的无铅焊锡焊接，进一步降低封装成本；就目前封装技术来看，完全免基板暂时不易实现，当前绝大部分企业在生产CSP产品时，多会采用带基板的倒装焊技术；因此，从严格意义上分析，市场上大部分CSP可以归结于NCSP产品，现有的CSP封装是基于倒装技术而存在的，随着LED在材料、工艺、封装制程技术等方面的研究不断进步，尤其是倒装芯片的逐渐成熟与荧光粉涂覆技术的多样化，同时为满足应用市场对LED器件小型化需求，源于硅半导体技术的芯片级封装技术衍生出带基板芯片级封装，为LED白光封装形态带来新选择。NCSP技术依靠倒装结构的芯片，将倒装芯片通过共晶焊技术焊接在陶瓷或柔性基板上，再将荧光粉层涂覆在作为出光窗口的蓝宝石及芯片四周侧壁上，形成五面发光型光源；现有的基板多采用铜材与胶材结合的形式组成，由于倒装芯片底部焊盘面积通常为对等设计，与基板上的铜材结合是通过锡膏作为电极传导介质，共晶时需要在260°左右环境下进行，在灯珠使用时可能会面临高温和低温的环境交替，由此一来，基板上的胶材会发生热胀冷缩的应力现象，从而推挤和拉扯基板上的铜材，继而导致基板拉扯芯片焊盘致使芯片损伤而造成灯珠死灯。
技术实现思路
针对上述问题，本技术要解决的技术问题是提供一种基于NCSP封装技术的封装装置。本技术的一种基于NCSP封装技术的封装装置，它包含钢板1、UV膜2、第一铜层3、镍层4、银层5、锡膏6、倒装芯片7、荧光胶8和圆形蒸镀铜层9，钢板1表面覆盖一层UV膜2，UV膜2上蒸镀上相应面积的铜层3，所述的铜层3的厚度为20-30um，铜层3表面蒸镀上同等面积的镍层4，所述的镍层4厚度20-30um，镍层4上蒸镀银层5，银层5的上方设置有锡膏6，倒装芯片7贴固在锡膏6表面，所述的银层5厚度为2.0-3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域B，倒装芯片7的上部封装有荧光胶8，形成一个半成品，半成品的四周设置有一圈圆形蒸镀铜层9。作为优选，所述的银层5面积略大于倒装芯片7底部焊盘面积。本新型中的NCSP的封装装置的制备工艺包含蒸镀基板工艺、固晶工艺、荧光胶涂布工艺和产品切割工艺。本技术的有益效果：它通过蒸镀工艺来实现产品的基板，其总厚度约为60um，芯片底部焊盘与基板紧密的结合，正负级焊盘中间区域也被荧光胶所填充，从而避免了NCSP灯珠在冷热交替环境下使用自身所产生应力而导致芯片受损，灯珠死灯现象。附图说明：为了易于说明，本技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本技术中NCSP基板形态正视图；图2为本技术中NCSP结构侧视图。1-钢板；2-UV膜；3-第一铜层；4-镍层；5-银层；6-锡膏；7-倒装芯片；8-荧光胶；9-圆形蒸镀铜层。具体实施方式：如图1-2所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含钢板1、UV膜2、第一铜层3、镍层4、银层5、锡膏6、倒装芯片7、荧光胶8和圆形蒸镀铜层9，钢板1表面覆盖一层UV膜2，UV膜2上蒸镀上相应面积的铜层3，所述的铜层3的厚度为20-30um，铜层3表面蒸镀上同等面积的镍层4，所述的镍层4厚度20-30um，镍层4上蒸镀银层5，银层5的上方设置有锡膏6，倒装芯片7贴固在锡膏6表面，所述的银层5厚度为2.0-3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域B，倒装芯片7的上部封装有荧光胶8，形成一个半成品，半成品的四周设置有一圈圆形蒸镀铜层9。作为优选，所述的银层5面积略大于倒装芯片7底部焊盘面积。本具体实施方式中的NCSP的封装装置的制备工艺包含蒸镀基板工艺、固晶工艺、荧光胶涂布工艺和产品切割工艺。本具体实施方式的制备原理为：蒸镀基板工艺是利用0.1-0.2mmm厚度钢板1作为基板载体，表面覆盖一层UV膜2，根据倒装芯片7焊盘的面积大小使用蒸镀工艺在UV膜2上蒸镀上相应面积的铜层3，铜层3厚度控制在20-30um，然后在铜层3表面蒸镀上同等面积的镍层4，镍层4厚度20-30um，最后在镍层4上蒸镀银层5，其银层5面积略大于倒装芯片7底部焊盘面积，厚度2.0-3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域B，由此区域面积所延伸形成的CSP产品外形进行阵列蒸镀排布，产品与产品接合处蒸镀切割定位圆铜层9；所述的固晶工艺是使用锡膏印刷机在基板银层5上进行刷锡作业，然后使用固晶机将倒装芯片7贴固在锡膏6表面，最后使用共晶炉设备进行共晶作业，让倒装芯片7与基板银层5很好焊接起来，起到导电和散热作用；所述的荧光胶涂布工艺是将固晶完毕的基板放置在荧光胶制模机上，通过调配好荧光胶8成份，将其注入到模具型腔中，最后利用模机工艺将荧光胶涂布在基板上；所述的产品切割工艺是将涂布完成的连片半成品上的钢板1从UV膜上2撕下来，然后将半成品放置在切割机上，通过切割定位圆形蒸镀铜层9标示将连片半成品切割成单体NCSP产品，最后再通过UV解胶方式将UV膜2去除来得到最终形态的NCSP产品。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于NCSP封装技术的封装装置，其特征在于：它包含钢板(1)、UV膜(2)、第一铜层(3)、镍层(4)、银层(5)、锡膏(6)、倒装芯片(7)、荧光胶(8)和圆形蒸镀铜层(9)，钢板(1)表面覆盖一层UV膜(2)，UV膜(2)上蒸镀上相应面积的铜层(3)，所述的铜层(3)的厚度为20‑30um，铜层(3)表面蒸镀上同等面积的镍层(4)，所述的镍层(4)厚度20‑30um，镍层(4)上蒸镀银层(5)，银层(5)的上方设置有锡膏(6)，倒装芯片(7)贴固在锡膏(6)表面，所述的银层(5)厚度为2.0‑3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域(B)，倒装芯片(7)的上部封装有荧光胶(8)，形成一个半成品，半成品的四周设置有一圈圆形蒸镀铜层(9)。
【技术特征摘要】
1.一种基于NCSP封装技术的封装装置，其特征在于：它包含钢板(1)、UV膜(2)、第一铜层(3)、镍层(4)、银层(5)、锡膏(6)、倒装芯片(7)、荧光胶(8)和圆形蒸镀铜层(9)，钢板(1)表面覆盖一层UV膜(2)，UV膜(2)上蒸镀上相应面积的铜层(3)，所述的铜层(3)的厚度为20-30um，铜层(3)表面蒸镀上同等面积的镍层(4)，所述的镍层(4)厚度20-30um，镍层(4)上蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊东，张仲元，张钟文，柳欢，王鹏辉，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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