半导体发光装置制造方法及图纸

在基板上，多个晶体管排列为多列而形成。各晶体管具有第一导电类型区以及在该列方向的两侧的第二导电类型区，并且在各第二导电类型区的基板一侧具有活性层。在彼此相邻的２列间，通过第一布线，电连接在一列上配置的所述晶体管的列方向的一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在另一列上配置的晶体管的第一导电类型区。此外，通过第二布线，电连接在另一列上配置的晶体管的列方向的一侧的第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在一列上配置的晶体管的第一导电类型区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体发光装置。
技术介绍
近年，在显示器的背光或照明灯等中使用交流驱动型的半导体发光装置。图5是图解地表示以往的交流驱动型的半导体发光装置的结构的平面图。该半导体发光装置91具有把多个LED92排列为2列的结构。在各列 中，彼此相邻的LED92由隔离区93隔离。各LED92具有p型区94和n型区95。构成一列(图5的右侧的列) 的LED92和构成另一列(图5的左侧的列)的LED92把p型区94和n 型区95的排列顺序变为相反。因此，向着列方向的一侧(图5的下侧)， 在一列中，排列为p型区94、 n型区95、隔离区93、 p型区94、 n型区 95、"*、隔离区93、 p型区94、 n型区95，在另一列，排列为n型区95、 p型区94、隔离区93、 n型区95、 p型区94、隔离区93、 n型区95、 p型区94。在各列中，隔着隔离区93彼此相邻的p型区94和n型区95由跨该 隔离区93配置的布线96连接。此外， 一列的端部的p型区94和另一列 的端部的n型区95通过布线97连接在引线接合区98。 一列的端部的n 型区95和另一列的端部的p型区94通过布线99连接在引线接合区100。引线接合区98、 100通过接合线与安装半导体发光装置91的基板上 的布线连接。而且，在引线接合区98、 100，从该布线经由接合线，例如 施加100V的交流量。如果在引线接合区98、 100施加交流电压，就在各 LED92的p型区94与n型区95之间产生电位差，各LED92发光。专利文献1:特开2005-216812号公报
技术实现思路
在各LED92发光的是设置在p型区94的下方的活性层。因此，在所 述的结构的半导体发光装置91中，只有p型区94成为发光区，由该p型 区94夹着的n型区95和隔离区93不发光，发光区的面积(发光面积) 小。通过增大p型区94的列方向和/或与列方向正交的方向的宽度，能增 大p型区94的面积，并能增大发光区的面积，但是在该方法中，会引起 半导体发光装置的尺寸的大型化。本专利技术的目的在于，提供一种不引起装置全体的尺寸的大型化，并能 扩大发光面积的半导体发光装置。用于实现所述目的的本专利技术的半导体发光装置包括基板；多个晶体 管，在所述基板上排列为多列而形成，具有第一导电类型区以及在该列方 向的两侧的第二导电类型区，并且在各第二导电类型区的所述基板一侧具 有活性层；第一布线，其在彼此相邻的2列间，将在一列上配置的所述晶 体管的列方向的一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的 所述一侧相邻的所述晶体管的列方向的另一侧的所述第二导电类型区和 在另一列上配置的所述晶体管的所述第一导电类型区进行电连接；第二布 线，其在所述2列间，将在所述另一列上配置的所述晶体管的列方向的所 述一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的所述一侧相邻 的所述晶体管的列方向的另一侧的所述第二导电类型区和在所述一列上 配置的所述晶体管的所述第一导电类型区进行电连接。即在该半导体发光装置中，在基板上，把多个晶体管排列为多列而形 成。各晶体管具有第一导电类型区以及在该列方向的两侧的第二导电类型 区。此外，各晶体管在各第二导电类型区的基板一侧具有活性层。而且， 在彼此相邻的2列之间，通过第一布线，将在一列上配置的晶体管的列方 向的一侧的第二导电类型区、相对于该晶体管在列方向的一侧相邻的晶体 管的列方向的另一侧的第二导电类型区、在另一列上配置的晶体管的第一 导电类型区进行连接。此外，通过第二布线，将在另一列上配置的晶体管 的列方向的一侧的第二导电类型区、相对于该晶体管在列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区、在一列上配置的晶体管的 第一导电类型区进行连接。根据该结构，与串联排列具有第一导电类型区和第二导电类型区的LED的结构相比，不会引起装置整体的尺寸的大型化，并能扩大在施加电压时成为发光区的第二导电类型区的面积。例如第一导电类型区的列方向的宽度是20um，第二导电类型区的列 方向的宽度是100um时， 一个晶体管的列方向的宽度是220um，该宽度 220 U m的区域中2个第二导电类型区相加的宽度200 u m的区域成为发光 区。另一方面，如图5所示的结构那样，在串联排列具有第一导电类型区 和第二导电类型区的LED的结构中，第一导电类型区的列方向的宽度是 20tim，第二导电类型区的列方向的宽度是70um，隔离各LED的隔离沟 槽的列方向的宽度是40 H m时，包含在列方向上相邻的2个LED的区域 的列方向的宽度(从一个LED的第一导电类型区到另一个LED的第二导 电类型区的宽度)成为220um，但是该宽度220um的区域中，仅2个第 二导电类型区相加的宽度140"m的区域成为发光区。这样，在所述的结 构中，不会引起装置整体的尺寸的大型化，并能扩大在施加电压时成为发 光区的第二导电类型区的面积。所述晶体管配置为，所述一列的所述第一导电类型区，相对于在所述 另一列上彼此相邻的晶体管间，在与列方向正交的方向上对置，所述另一 列的所述第一导电类型区，相对于在所述一列彼此相邻的晶体管间，在与 列方向正交的方向对置。根据该结构，在从垂直于基板的方向看到的俯视图中，第一布线和第 二布线配置为彼此不交叉。因此，能不再需要用于防止第一布线与第二布 线之间的短路的构造(例如，在不同的阶层形成第一布线和第二布线，在 它们之间介入绝缘层的构造)，从而能简化装置的结构。此外，还包含在所述基板上层叠多个氮化镓类半导体层而形成的层 叠部；所述晶体管通过从所述半导体层叠部的表面向该层叠方向下挖形成 的隔离沟槽，在各列上与其他所述晶体管电隔离。根据该结构，通过在半导体层叠部形成隔离沟槽，能形成彼此电隔离 的多个晶体管。另外，也可以在基板上，排列2列来形成所述晶体管。 参照附图，并通过以下描述的实施例的说明，来阐明本专利技术的上述的 或其他目的、特征和效果。附图说明图1是图解地表示本专利技术的一个实施方式的半导体发光装置的结构的 平面图。图2是图l所示的切断线A-A的剖视图。图3是图解地表示多个晶体管排列为3列而形成的结构的平面图。 图4是图解地表示多个晶体管排列为4列而形成的结构的平面图。 图5是图解地表示以往的交流驱动型的半导体发光装置的结构的俯视图。符号的说明。l一半导体发光装置；2—蓝宝石基板；3—半导体层叠部；6—晶体管； 7—低温缓冲层(氮化镓类半导体层)；8—高温缓冲层(氮化镓类半导体 层)；9一n型包层；10—活性层(氮化镓类半导体层)；ll一p型包层(氮 化镓类半导体层)；11a—p型包层；lib—p型包层；16—布线(第一布线)； 17—布线(第二布线)；31—半导体发光装置；41—半导体发光装置。具体实施例方式以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式。图1是是图解地表示本专利技术的一个实施方式的半导体发光装置的结构 的俯视图。此外，图2是图1所示的切断线A-A的剖视图。该半导体发光装置1例如是与商用交流电源(AC100V)连接，能适 合于在照明灯等中使用的交流驱动型的半导体发光装置。半导体发光装置 l如图2所示，具有蓝宝石(A1203)基板2、形成在该蓝宝石基板2上的 半导体层叠部3。在半导体层叠部3，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，包括：　基板；　多个晶体管，其在所述基板上排列为多列而形成，具有第一导电类型区以及在该列方向的两侧的第二导电类型区，并且在各第二导电类型区的所述基板一侧具有活性层；　第一布线，其在彼此相邻的２列间，将在 一列上配置的所述晶体管的列方向的一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的所述一侧相邻的所述晶体管的列方向的另一侧的所述第二导电类型区和在另一列上配置的所述晶体管的所述第一导电类型区进行电连接；　第二布线，其在所述２列间，将在 所述另一列上配置的所述晶体管的列方向的所述一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的所述一侧相邻的所述晶体管的列方向的另一侧的所述第二导电类型区和在所述一列上配置的所述晶体管的所述第一导电类型区进行电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尺田幸男，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]