发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及用于照明领域的发光二极管芯片，本实用新型专利技术包括基板、Ｐ型接触电极、发光体和Ｎ型接触电极，其特征在于：Ｐ型接触电极设在基板上，发光体设在Ｐ型接触电极上，Ｎ型接触电极设在发光体上。本发光二极管芯片有效解决了蓝宝石基板导电导热性差和易出现电流集中效应的问题，使用可靠性好且寿命长。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管芯片，特别是一种用于照明领域的发光二极管芯片。
技术介绍
与普通照明灯具相比，发光二极管具有高可靠性、高效率、长寿命、全固体化、耗电少等优点，在大屏幕显示、交通灯信息指示及一般的光显示和指示领域具有巨大的应用市场，有望将来取代现在的白炽灯和荧光灯，成为21世纪的绿色照明光源。但是现在一般发光二极管都以蓝宝石作为基板并置于出光面；另外N型接触电极由于结构所限，都要置于发光体的一侧或者是周围。这种结构的缺点，一是蓝宝石导热性不好，影响到发光二极管的可靠性和寿命；二是电流扩散性能不好，容易出现电流集中效应，影响到发光二极管单位面积工作电流和输入功率的提高，并影响到发光二极管的可靠性和寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种能有效解决蓝宝石基板导电导热性差和易出现电流集中效应的问题，使用可靠性好且寿命长的发光二极管。为达上述目的，本技术发光二极管，包括基板、P型接触电极、发光体和N型接触电极，所述P型接触电极设在基板上，发光体设有P型接触电极上，N型接触电极设在发光体上。这样一方面可以用散热性较好的基板代替散热性差的蓝宝石基板；另一方面，N型接触电极和P型接触电极分别与发光体两个相对的面相连，解决了P型区域与N型区域接触面积小的问题，所以可避免电流集中效应问题；所以可有效保护发光体从而延长其工作寿命。上述的发光二极管芯片中，所述P型接触电极和N型接触电极之间的发光体为一系列发光单包。上述的发光二极管芯片中，所述的一系列发光单包成矩阵排列，发光单包上的N型接触电极成网格状。上述的发光二极管芯片中，相邻的发光单包之间设有反射绝缘膜。上述的发光二极管芯片中，所述的反射绝缘膜伸入到P型接触电极与发光单包之间，对发光单包的与P型接触电极接触一面的周边形成包围。上述的发光二极管芯片中，所述的反射绝缘膜为二氧化硅层和氮化硅层交错层叠而成。上述的发光二极管芯片中，所述的P型接触电极中与P型接触层接触的第一层物质为金。上述的发光二极管芯片中，所述的P型接触电极中还包括第二层物质镍和第三层物质金。上述的发光二极管芯片中，所述的N型接触电极由依次排列的钛、铑、钛和金四层金属层构成。所谓发光体指外延片上整体的发光结构或者是发光单包。本技术相对于现有技术的有益效果有效的解决了蓝宝石基板导电导热性差和易出现电流集中效应的问题，使用可靠性好且寿命长。附图说明本说明书所附图1为本技术一种实施例产品的剖面结构图。图2为图1中产品的俯视图。附图中，1为基板，2为P型接触电极，3为反射绝缘膜，4为发光体，42为发光单包，5为N型接触电极，6为基板加强层。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明。附图1和2所示实施例发光二极管中，基板1上为由金、镍、金三层金属层构成的P型接触电极2，P型接触电极2上有成矩阵排列的发光单包42(也可以为整体的外延片上的发光结构，它们合称为发光体4)，相邻的发光单包42之间设有由二氧化硅层和氮化硅层交错层叠而成的反射绝缘膜3(该反射绝缘膜3除具有隔离相邻发光单包42作用之外，更具有将光线反射出去提高出光率的作用)，反射绝缘膜3伸入到P型接触电极2与发光单包42之间，对发光单包42的与P型接触电极2的接触面的周边形成包围(此包围面积越大越有利于发光二极管的出光，但此面积越大会使P型接触电极2跟发光单包42的接触面积越小，可能导致电流集中效应，二者大小关系可通过实验等方法寻求合适比例)。成矩阵排列的发光单包42上设有成网格状的N型接触电极5。N型接触电极5由依次排列的钛、铑、钛和金四层金属构成。所述基板1的外表面覆盖有一层基板反光层6。这样一方面N型接触电极5和P型接触电极2分别与发光单包4的两个相对的面相连，解决了因P型区域与N型区域接触面积小导致电流集中效应问题。另一方面，这种结构使得在发光体为一系列发光单包4时，可减小相邻发光体4之间间隙，增加发光二极管的有效发光面积。P型接触电极2上为一系列发光单包42，相对于外延片整体的单一发光结构也可更好地避免电流集中效应问题。反射绝缘膜3的二氧化硅层和氮化硅层交错层叠结构，有效解决了原来直接以银或铝的金属层作反光层时，易产生静电，以至产品被击穿，以及产品进一步加工困难等问题，可高效将光线导出。二氧化硅层和氮化硅层最佳的层数依每层的厚度而变化，具体可通过实验或经验等方法确定。本技术P型接触电极2的金、镍、金中两层金被分开的结构比单层金加厚时透光性好，且仍可减小横向电阻，增加发光单包42中P型接触层的表面传导性，降低正向电压；N型接触电极5的第一层金属钛起提高电极与发光单包42连接强度的作用，第二层金属铑可使得与发光单包42之间有更好的接触电阻，第三层金属钛起隔绝第二层金属铑和第四层金属金的作用，它可被金属铂代替。所述基板1的外表面覆盖的一层基板反光层6，可有效对光线的反射，增加发光二极管的出光效果。权利要求1.一种发光二极管芯片，包括基板(1)、P型接触电极(2)、发光体(4)和N型接触电极(5)，其特征在于P型接触电极(2)设在基板(1)上，发光体(4)设在P型接触电极(2)上，N型接触电极(5)设在发光体(4)上。2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于所述P型接触电极(2)和N型接触电极(5)之间的发光体(4)为一系列发光单包(42)。3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的一系列发光单包(42)成矩阵排列，发光单包(42)上的N型接触电极(5)成网格状。4.如权利要求1、2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于相邻的发光单包(42)之间设有反射绝缘膜(3)。5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的反射绝缘膜(3)伸入到P型接触电极(2)与发光单包(42)之间，对发光单包(42)的与P型接触电极(2)的接触面的周边形成包围。6.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于所述反射绝缘膜(3)为二氧化硅层和氮化硅层交错层叠而成。7.如权利要求1、2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的P型接触电极(2)中与P型接触层接触的第一层物质为金。8.如权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的P型接触电极(2)中还包括第二层物质镍和第三层物质金。9.如权利要求1、2、3或4 所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的N型接触电极(5)由依次排列的钛、铑、钛和金四层金属构成。10.如权利要求1、2、3或4 所述的发光二极管芯片，其特征在于所述基板(1)的外侧还设有一层基板反射层(6)。专利摘要本技术涉及用于照明领域的发光二极管芯片，本技术包括基板、P型接触电极、发光体和N型接触电极，其特征在于P型接触电极设在基板上，发光体设在P型接触电极上，N型接触电极设在发光体上。本发光二极管芯片有效解决了蓝宝石基板导电导热性差和易出现电流集中效应的问题，使用可靠性好且寿命长。文档编号H01L33/00GK2906932SQ20052006093公开日2007年5月30日 申请日期2005年7月11日 优先权日2005年7月11日专利技术者彭少鹏 申请人:东莞市福地电子材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，包括基板（１）、Ｐ型接触电极（２）、发光体（４）和Ｎ型接触电极（５），其特征在于：Ｐ型接触电极（２）设在基板（１）上，发光体（４）设在Ｐ型接触电极（２）上，Ｎ型接触电极（５）设在发光体（４）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭少鹏，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]