三族氮化物半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含（ａ１）、（ｂ１）及（ｃ１），即：（ａ１）Ｎ电极；（ｂ１）半导体多层膜；（ｃ１）透明导电性氧化物Ｐ电极，在此，半导体多层膜依次包含Ｎ型半导体层、发光层、Ｐ型半导体层、ｎ型杂质浓度为５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的高浓度Ｎ型半导体层，Ｎ型半导体层与Ｎ电极接触，且半导体多层膜具有凸部。另外，三族氮化物半导体发光元件包含（ａ２）、（ｂ２）及（ｃ２），即：（ａ２）透明导电性氧化物Ｎ电极；（ｂ２）半导体多层膜；（ｃ２）Ｐ电极，在此，半导体多层膜依次包含ｎ型杂质浓度为５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的高浓度Ｎ型半导体层、Ｎ型半导体层、发光层、Ｐ型半导体层，Ｐ型半导体层与Ｐ电极接触，且半导体多层膜具有凸部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及三族(中国使用的周期表中的niA族)氮化物半导体发光元件及其制造方法。具体来说，本专利技术涉及由式InxGayAlzN (其中， x+y+z=l， 0《x《l， 0《y《l， 0《z《l)表示的氮化物化合物半导体发光 元件及其制造方法。
技术介绍
三 五族氮化物系半导体发光元件用作各种显示装置用、照明装置用 光源。另外，作为室内光通信用光源也进行过研究。在将三 五族氮化物 系半导体发光元件适用于这些用途时，提高发光效率成为问题。为了提高发光元件的发光效率，需要(1)提高电子和空穴的再结合 概率的元件结构、或通过减少半导体结晶的转位或缺陷密度而进行的非发 光中心的抑制(内部量子效率的提高)、及(2)从半导体向元件外部取出 在半导体结晶中生成的光的取出效率的提高(光取出效率的提高)。关于 后者，如由斯涅耳式进行的说明，能够在半导体和外界的边界区域仅将具 有临界角以下的角度的光向外部取出，临界角以上的光在边界区域被反射 而返回半导体内部，在内部被衰减。三 五族氮化物系半导体的折射率为2以上，其折射率根据光的取出 空间或部件(例如，折射率为1的大气，折射率为1.5的环氧密封材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三族氮化物半导体发光元件，其中，　依次包含（ａ１）、（ｂ１）及（ｃ１），即：　（ａ１）Ｎ电极；　（ｂ１）半导体多层膜；　（ｃ１）透明导电性氧化物Ｐ电极，　在此，半导体多层膜依次包含Ｎ型半导体层、发光层、Ｐ型 半导体层、ｎ型杂质浓度为５×１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］～５×１０↑［２０］ｃｍ↑［－３］的高浓度Ｎ型半导体层，Ｎ型半导体层与Ｎ电极接触，且半导体多层膜具有凸部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：笠原健司，上田和正，小野善伸，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]