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本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含（ａ１）、（ｂ１）及（ｃ１），即：（ａ１）Ｎ电极；（ｂ１）半导体多层膜；（ｃ１）透明导电性氧化物Ｐ电极，在此，半导体多层膜依次包含Ｎ型半导体层、发光层、Ｐ型半...
该专利属于住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社授权不得商用。

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