用于热电应用的掺杂碲化铅制造技术

一种包括以下通式的化合物的ｐ－传导的或ｎ－传导的半导体材料，Ｐｂ↓［１－（ｘ１＋ｘ２＋…＋ｘｎ）］Ａ↓［ｘ１］↑［１］Ａ↓［ｘ２］↑［２］…Ａ↓［ｘｎ］↑［ｎ］Ｔｅ↓［１＋ｚ］，其中在每种情况下独立地，ｎ是不同于Ｐｂ和Ｔｅ的化学元素的数量，１ｐｐｍ≤ｘ１…ｘｎ≤０．０５，－０．０５≤ｚ≤０．０５，并且ｎ≥２，Ａ↑［１］…Ａ↑［ｎ］彼此互不相同并且选自元素组Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ，或者ｎ＝１，Ａ↑［１］选自Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｇｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括铅和碲以及至少一个或两个进一步掺杂物的半导体材料，并且涉及热电生成器和包括热电生成器的珀耳帖(Peltier)装置。
技术介绍
热电生成器和珀耳帖装置已经为大家所知有些时间了。在一侧上祐力口 热而在另一側上被冷却的p-掺杂和n-掺杂半导体通过外部电路传送电荷， 并且电气工作可以通过该电路中的载荷被实施。该过程中实现的热能到电 能的转换效率在热力学上受限于卡诺(Carnot)效率。因而，在热的一侧 1000K而"冷，，的一側400K的温度下，(1000-400): 1000 = 60%的效 率将是可能的。然而，到目前为止仅已实现达10%的效率。另一方面，当对这样的装置应用直流电时，热从一侧^L传送到另一侧。 这样的珀耳帖装置作为热泵工作并且因此适于冷却装置部件、车辆或建筑。 因为总是传送比对应于供应的能当量的更多的热，通过珀耳帖原理加热也 比常规加热更有利。例如，1993年11月8日，日^t黄滨，Cronin B. Vining的文章ITS Short Course on Thermoelectricity可以让我们4艮好地回顾热电效应和材料。目前，在航天探测器中使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括通式（Ⅰ）的化合物的ｐ－传导的或ｎ－传导的半导体材料，　Ｐｂ↓［１－（ｘ１＋ｘ２＋…＋ｘｎ）］Ａ↓［ｘ１］↑［１］Ａ↓［ｘ２］↑［２］…Ａ↓［ｘｎ］↑［ｎ］Ｔｅ↓［１＋ｚ］　（Ⅰ）　其中：　在每种情况下独立地　 　ｎ是不同于Ｐｂ和Ｔｅ的化学元素的数量　１ｐｐｍ≤ｘ１…ｘｎ≤０．０５　－０．０５≤ｚ≤０．０５　并且　ｎ≥２　Ａ↑［１］…Ａ↑［ｎ］彼此互不相同并且选自元素组Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：F哈斯，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]