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用于热电应用的掺杂碲化铅制造技术
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下载用于热电应用的掺杂碲化铅的技术资料
文档序号:3233693
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一种包括以下通式的化合物的p-传导的或n-传导的半导体材料,Pb↓[1-(x1+x2+…+xn)]A↓[x1]↑[1]A↓[x2]↑[2]…A↓[xn]↑[n]Te↓[1+z],其中在每种情况下独立地,n是不同于Pb和Te的化学元素的数量,...
该专利属于巴斯夫欧洲公司所有,仅供学习研究参考,未经过巴斯夫欧洲公司授权不得商用。
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