半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41528608 阅读:33 留言:0更新日期:2024-06-03 23:03
半导体装置具有第1芯片焊盘、受光元件、发光元件、第1片材和树脂部。所述第1芯片焊盘具有朝向厚度方向的一方侧的第1主面。所述受光元件装载于所述第1主面。所述发光元件相对于所述受光元件配置于所述厚度方向的一方侧。所述第1片材具有透光性和绝缘性,在所述厚度方向上介于所述受光元件与所述发光元件之间。所述树脂部覆盖所述受光元件、所述发光元件和所述第1片材。所述第1片材具有朝向所述厚度方向的一方侧的第1面和朝向与所述第1面相反的一方侧的第2面。所述第1面和所述第2面的至少一部分包括形成有凹凸的凹凸部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置


技术介绍

1、现有技术中,已知有通过受光元件接收发光元件发出的光来传递信号的半导体装置(光电耦合器)。在专利文献1中公开了现有的光电耦合器的一个例子。该文献所公开的光电耦合器包括输入侧引线、输出侧引线、发光元件、受光元件、绝缘性薄膜、透明树脂和密封树脂。受光元件装载于输出侧引线。发光元件装载于输入侧引线,与受光元件相对配置。透明树脂覆盖发光元件和受光元件,密封树脂覆盖透明树脂。绝缘性薄膜配置在受光元件与发光元件之间,被透明树脂或密封树脂覆盖。通过使绝缘性膜介于受光元件与发光元件之间,能够实现受光元件侧与发光元件侧的绝缘耐压的提高。另一方面,如果绝缘性薄膜从覆盖其的树脂剥离,则绝缘耐压有可能降低。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2010-153816号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本专利技术是基于上述的情况而想出的,其一个课题在于提供一种适于抑制绝缘耐压的降低的半导体装置

3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

6.如权利要求3~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:

8.如权利要求6或7所述的半导体装置,其特征在于:

9.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于:

10.如权利要求2所述的半导体装置,其特征...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:

5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

6.如权利要求3~5中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:

8.如权利要求6或7所述的半导体装置,其特征在于:

9....

【专利技术属性】
技术研发人员:松原弘招大角嘉藏
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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