温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板１上，依次外延生长由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部２４与电流扩散层７，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部２４外延生长于成长用单结晶基板１上的有机金属气相成长步骤、以及以氢...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。