化合物半导体外延晶片及其制造方法技术

根据金属有机化合物气相外延法，具有以（１００）方向作为基准方向，倾斜角为１０°到２０°之间的主轴的ＧａＡｓ单结晶基板（１）上，依次形成由包含两个或多个以上ＩＩＩ族元素的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（其中０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）构成的发光层部（２４）和第一ＧａＰ层（７ａ）。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一ＧａＰ层（７ａ）上形成第二ＧａＰ层（７ｂ），（７ｃ）。第二ＧａＰ层（７ｂ），（７ｃ）作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域（７ｂ）和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域（７ｃ），在整个生长过程中，速度在１０μｍ／ｈｒ到４０μｍ／ｈｒ之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
专利文献1 美国专利5，008, 718号公报专利文献2 特开2004-047960号公报专利文献3 特开平07-240372号公报发光层部由(AlxGa1JyIrvy P固溶体(其中，0彡χ彡1，0 < y彡1 以下亦记载成 AlGaInP固溶体，或简称为AlGaInP)所形成的发光元件，是采用以能带间隙大于薄AlGaInP 活性层的η型AlGaInP包覆层与ρ型AlGaInP包覆层，挟持该薄AlGaInP活性层成三明治 状的双异质结构(DH结构)，从而可实现高亮度的元件。例如，以AlGaInP发光元件为例，是以在η型GaAs基板上形成异质的方式，依次层 叠成η型GaAs缓冲层、η型AlGaInP包覆层、AlGaInP活性层、ρ型AlGaInP包覆层，以形成 具有双异质结构的发光层部。向发光层部的通电，是通过元件表面所形成的金属电极进行 的。在这里，金属电极作为遮光体，以例如仅覆盖在发光层部主表面中央部的方式形成，从 而使光线从其周围的非电极形成区域取出。此时，尽可能缩小金属电极的面积，可使电极周围所形成的区域的面积越大，有利 于提升光取出率。以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体外延晶片，其特征在于，在具有以＜１００＞方向作为基准方向、倾斜角为１０°到２０°之间的主轴的ＧａＡｓ单结晶基板上，依次层叠由含有两种以上的Ⅲ族元素的（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ（其中０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）构成的发光层部和厚度为５０μｍ到２５０μｍ之间的ＧａＰ层，上述ＧａＰ层的表面是未研磨面，而且在上述未研磨面上形成的小丘的高度在１０μｍ以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：久米史高，筱原政幸，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]