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根据金属有机化合物气相外延法，具有以（１００）方向作为基准方向，倾斜角为１０°到２０°之间的主轴的ＧａＡｓ单结晶基板（１）上，依次形成由包含两个或多个以上ＩＩＩ族元素的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（其中０≤ｘ≤１，０＜ｙ≤１）构成的发...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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