晶片的研磨方法及晶片研磨用研磨垫技术

本发明专利技术提供一种有效防止晶片的外周塌边的晶片研磨方法及非常适合该晶片研磨方法的晶片研磨用研磨垫。在使树脂浸渍在无纺布中的研磨垫上，滑接晶片主面而进行镜面研磨的晶片研磨方法中，将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比｛表粗糙度Ｒａ（μｍ）／压缩率（％）｝设定在３．８以上进行研磨。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片的研磨方法及适合用于该晶片的研磨方法的晶片研磨用研磨垫。
技术介绍
以往，用作半导体基板材料的硅晶片的制造方法，一般采用切克劳斯基单晶生长(CzochralskiCZ)法或悬浮区熔(Floating ZoneFZ)法等，经过制造单晶锭的晶体生长工序和在切割该单晶锭后至少将一主面加工成镜面状的晶片加工工序。如果更详细地表示该工序，晶片加工工序包括切割单晶锭，得到薄圆板状的晶片的切割工序；为防止在该切割工序得到的晶片的裂纹、缺陷，对其外周部进行磨边的磨边工序；使该晶片平坦化的磨光(lapping)工序；去除在磨边及磨光后的晶片上残留的加工变形的蚀刻工序；使该晶片表面镜面化的研磨(抛光)工序；清洗研磨的晶片，去除附在其上面的研磨剂或异物的清洗工序。上述晶片加工工序，表示了主要工序，另外，还可增加热处理工序等，或在多阶段进行同一工序，或改换工序顺序。在这些工序中，在研磨(抛光)工序，有多种方式的研磨方式。例如，硅晶片的镜面研磨方法，如磨光加工，有同时镜面化两面的两面研磨方式，或真空吸附保持在板上，逐片研磨晶片的薄片方式，不使用石蜡等接合剂而利用背衬垫和模板保持、研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的研磨方法，使晶片与无纺布中含浸树脂的研磨垫滑接，进行镜面研磨，其特征在于：将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比｛表粗糙度Ｒａ（μｍ）／压缩率（％）｝设定在３．８以上进行研磨。

【技术特征摘要】
JP 2001-10-30 333233/20011.一种晶片的研磨方法，使晶片与无纺布中含浸树脂的研磨垫滑接，进行镜面研磨，其特征在于将上述研磨垫的表粗糙度和压缩率的比{表粗糙度Ra(μm)/压缩率(％)}设定在3.8以上进行研磨。2.如权利要求1所述的晶片的研磨方法，其特征在于将上述研磨垫的压缩率设定在2％以上4.5％以下。3.如权利要求1或2所述的晶片的研磨方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：桝村寿，富井和弥，伊藤荣直，安在健一，井上宪一，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，罗代尔霓塔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]