研磨垫以及研磨晶圆的方法技术

一种研磨垫，其特征是，包括：　　　　复数个研磨颗粒，其中每一研磨颗粒包括：　　　　一黏结剂；以及　　　　复数个研磨粒，该些研磨粒均匀分布于该黏结剂中，　　　　其中该些研磨颗粒与晶圆接触的表面为一凹凸表面。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种可有效改善研磨效率的。
技术介绍
在存储器晶圆(memory wafer)或逻辑晶圆(logic wafer)等半导体元件的制作中，为了提高电子元件的集成度以及降低生产成本，所以近来在工艺上有逐渐提高深宽比(aspect ratio)且增加导线层(conductive circuit layer)的堆栈层数的趋势。不过，在制作此多层导线层结构时，随着堆栈层数的增加，于晶片表面所产生的凹凸或扭曲等不平坦的现象会日益显著，因此能在工艺中消除晶圆表面的不平坦并达到所谓的完全平坦化(global planarity)的技术成为众所瞩目的焦点。使用此完全平坦化技术不但可以在元件上使用多层的导线结构，而且还能确保所制得的元件的合格率。最早提出完全平坦化的技术是美国IBM公司，其利用完全平坦化技术之一的化学机械研磨法(chemicalmechanical polishing，CMP)来进行埋入式导线之间金属镶嵌(damascene)工艺。在化学机械研磨的过程中，其是通过研磨粒子(abrasive particle)以及具有适当的弹性(elasticit本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫，其特征是，包括复数个研磨颗粒，其中每一研磨颗粒包括一黏结剂；以及复数个研磨粒，该些研磨粒均匀分布于该黏结剂中，其中该些研磨颗粒与晶圆接触的表面为一凹凸表面。2.如权利要求1所述的研磨垫，其特征是，该些研磨粒包括氧化铈。3.如权利要求1所述的研磨垫，其特征是，该黏结剂包括树脂。4.一种研磨晶圆的方法，其特征是，该方法包括提供一第一研磨垫，该第一研磨垫包括复数个第一研磨颗粒，其中每一第一研磨颗粒包括一黏结剂与均匀分布于该黏结剂中的复数个研磨粒；于该第一研磨垫上进行一第一研磨步骤以使一晶圆表面平坦；提供一第二研磨垫，该第二研磨垫包括复数个第二研磨颗粒，其中每一第二研磨颗粒包括该黏结剂与均匀分布于该黏结剂中的该些研磨粒，且该些第二研磨颗粒与晶圆接触的表面为一凹凸表面；以及于该第二研磨垫上进行一第二研磨步骤。5.如权利要求4所述的研磨晶圆的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡腾群，吕晓玲，朱辛堃，李振仲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：