研磨垫整理器制造技术

一种研磨垫整理器，包括一底层、一部分相稳定化金属氧化层与钻石颗粒，其配置方式在底层上配置一层部分相稳定化金属氧化层，而在部分相稳定化金属氧化层中分布有钻石颗粒。由于部分相稳定化金属氧化层具有抗酸腐蚀以及相韧变化的特性，故可延长研磨垫整理器的寿命，并且避免钻石颗粒脱落。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)装置，且特别是有关于一种研磨垫整理器(Pad Conditioner)。
技术介绍
在半导体制作工艺中，随着元件尺寸持续缩减，微影曝光分辨率也相对增加，且伴随着曝光景深的缩减，对于晶圆表面的高低起伏程度的要求更为严苛。因此，目前晶圆的平坦化(Planarization)都是依赖化学机械研磨制作工艺来完成，它独特的非等向性磨除性质除了用于晶圆表面轮廓的平坦化之外，亦可应用于垂直及水平金属内联机(Interconnects)的镶嵌结构的制作、前段制作工艺中元件浅沟渠隔离制作及先进元件的制作、微机电系统平坦化和平面显示器制作等。公知进行化学机械研磨制作工艺时，通常分为旋转式平台(RotationalPlaten)研磨机或是线性移动式(Linear)研磨机。旋转式平台研磨装置大多使用研磨头(Carrier)抓住晶圆，然后把晶圆的正面压在铺有一层供有研浆(Slurry)的研磨垫(Pad)的研磨台(Polishing Table)上进行研磨(Polishing)；另外，线性移动式研磨机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫整理器，其特征在于：包括：　　　　一底层；　　　　一部分相稳定化金属氧化层，位于该底层上；以及　　　　复数个钻石颗粒，镶嵌于该部分相稳定化金属氧化层上。

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫整理器，其特征在于包括一底层；一部分相稳定化金属氧化层，位于该底层上；以及复数个钻石颗粒，镶嵌于该部分相稳定化金属氧化层上。2.如权利要求1所述的研磨垫整理器，其特征在于该部分相稳定化金属氧化层的材质包括一部分相稳定化氧化锆。3.如权利要求2所述的研磨垫整理器，其特征在于该部分相稳定化金属氧化层的材质还包括氧化钇。4.如权利要求3所述的研磨垫整理器，其特征在于该部分相稳定化金属氧化层的材质还包括一安定剂。5.如权利要求4所述的研磨垫整理器，其特征在于该安定剂的材质更包括一氧化镁。6.如权利要求5所述的研磨垫整理器，其特征在于该氧化镁的含量在1％～10％之间。7.如权利要求1所述的研磨垫整理器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪永泰，黄啟东，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]