SOI晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＳＯＩ晶片的制造方法，是在成为原料晶片的２片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合的ＳＯＩ晶片的制造方法，该绝缘层的表面的ＰＶ值在１．５ｎｍ以下。本发明专利技术在制造ＳＯＩ晶片时可以抑制空孔的产生，生产效率高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由SOI层、绝缘层、支撑基板形成的SOI(Silicon onInsulator)晶片的制造方法，特别涉及利用结合法(贴合法)进行的SOI晶片的制造方法。
技术介绍
近年来，集成电路的集成度显著增加，与之相伴，被镜面研磨的半导体单晶晶片表面的平坦度或平滑度之类的加工精度也被要求更加严格的条件。而且，为了获得性能·可靠性·成品率高的集成电路，不仅是机械精度，而且对于电特性，都要求很高。其中，对于SOI晶片来说，由于是理想的电介质分离基板，因此主要与移动通信机器或医疗机器有关而被用作高频率、高速度器件，预计今后的需求会有大幅度的扩大。如图6所示，SOI晶片50具有如下的构造，即，用于形成单晶硅层那样的元件的SOI层52(也称为半导体层或活性层)被形成于硅氧化膜那样的绝缘层54[也称为埋入(BOX)氧化膜层或简称为氧化膜层]之上。另外，构成在支撑基板56(也称为基板层)上形成绝缘层54并依次形成了SOI层52、绝缘层54、支撑基板56的构造。一直以来，作为具有SOI层52及支撑基板56例如由硅制成以及绝缘层54例如由硅氧化膜制成的所述SOI构造的SOI晶片50的制造方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ晶片的制造方法，在成为原料晶片的２片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合，其特征是，该绝缘层的表面的ＰＶ值在１．５ｎｍ以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-8-27 246422/20021.一种SOI晶片的制造方法，在成为原料晶片的2片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合，其特征是，该绝缘层的表面的PV值在1.5nm以下。2.根据权利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其特征是，通过使用不存在小坑簇的晶片作为所述一方的晶片，使所述绝缘层表面的PV值在1.5nm以下。3.根据权利要求1或2所述的SOI晶片的制造方法，其特征是，在成为所述原料晶片的2片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，并且从该一方的晶片的上面注入氢离子或稀有气体离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩渕美保，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]