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本发明提供一种ＳＯＩ晶片的制造方法，是在成为原料晶片的２片晶片当中的至少一方的晶片上形成绝缘层，将该一方的晶片与另一方的晶片不使用胶粘剂地贴合的ＳＯＩ晶片的制造方法，该绝缘层的表面的ＰＶ值在１．５ｎｍ以下。本发明在制造ＳＯＩ晶片时可以抑制空...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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